品牌:VBsemi
型号:P5506HVG-VB
封装:SOP8
丝印:VBA3638
详细参数说明:
- 通道类型:2个N沟道MOSFET
- 额定工作电压:60V
- 最大连续漏极电流:6A
- 漏极-源极导通电阻:27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:1.5V
应用简介:
P5506HVG-VB是一款高性能的双N沟道MOSFET,适用于各种功率电路的开关控制和功率调节。具有低漏极-源极导通电阻、高额定工作电压和大连续漏极电流的特点,适用于要求高效能和高可靠性的电源管理和功率放大应用。
举例说明:
1. 电源管理模块:适用于各种开关电源、DC-DC变换器和逆变器等电源管理模块中,用于控制和调节电流,提高电源效率。
2. LED照明系统:可用于LED驱动电路和照明控制模块中,提高照明系统的稳定性和能效。
3. 工业控制系统:适用于工业自动化控制系统中的电机驱动、变频器和电源逆变器等模块,提高设备的性能和可靠性。