05N50-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi的05N50-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V（±V）的门极-源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth）、在VGS=10V时的1100mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、以及7A的漏极电流（ID）。该产品采用Plannar工艺。

**产品简介：**
VBsemi的05N50-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，适用于多种领域和模块。它具有高漏极电压、低导通电阻和可靠性强的特点，适用于要求高电压和高效率的应用场合。

**详细参数说明：**
- 封装：TO220F
- 类型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 门极-源极电压（VGS）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：1100mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：7A
- 工艺：Plannar

**应用领域和模块示例：**
1. **电源模块**：05N50-VB适用于高压电源模块，如电源逆变器、电源开关等，具有高效率和可靠性。
2. **电动车充电器**：在电动车充电器中，05N50-VB可用于高压直流变换器，提供稳定的电压输出。
3. **工业电源**：在工业电源系统中，05N50-VB可用于高压直流电源模块，提供稳定的电源输出。
4. **UPS**：在不间断电源系统中，05N50-VB可用于功率开关模块，确保电力系统的稳定性和可靠性。

这些是05N50-VB的一些典型应用场景，但并不限于此，具体应用取决于设计要求和环境条件。