16N50C3-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**型号：16N50C3-VB**

16N50C3-VB是VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该产品具有高耐压性和低导通电阻，适用于高压、高电流的开关电源和驱动电路。采用SJ_Multi-EPI技术，提供可靠的性能和稳定性。

### 参数说明

- **封装形式**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：30V（±）
- **栅极阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：220mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：15A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 适用领域和模块

16N50C3-VB MOSFET在多个领域和模块中有广泛的应用，例如：

1. **电源开关**
   - 该MOSFET适用于高压电源开关模块，如电源适配器和开关电源，可提供可靠的电源控制和高效的电能转换。

2. **电动车充电器**
   - 在电动车充电器中，16N50C3-VB可以用作开关元件，支持高电压和高电流，确保充电器的安全性和稳定性。

3. **照明应用**
   - 该MOSFET也适用于LED照明驱动电路，能够提供高效的能量转换和稳定的电流输出，延长LED灯的使用寿命。

4. **工业控制**
   - 在工业控制领域，16N50C3-VB可用于开关电源和驱动电路，支持高电压和高电流的应用，如工业自动化设备和电机控制。

5. **太阳能逆变器**
   - 在太阳能逆变器中，该MOSFET可以用于直流到交流的转换，保证太阳能系统的高效率和稳定性。

通过以上应用示例可以看出，16N50C3-VB MOSFET由于其高性能和可靠性，在多个领域和模块中都有重要的作用，是许多电子系统中不可或缺的关键组件。