以下是关于VBsemi的MOSFET产品076N12N-VB的详细信息:
1. 产品简介:
- 型号:076N12N-VB
- 封装:TO262
- 构造:单N沟道
- 额定漏极-源极电压(VDS):100V
- 额定栅极-源极电压(VGS):20V(±)
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):在VGS=4.5V时为10mΩ,在VGS=10V时为9mΩ
- 连续漏极电流(ID):100A
- 工艺:沟槽
2. 参数说明:
- VDS:100V是该MOSFET的最大漏极-源极电压,超过这个电压可能导致器件损坏。
- VGS:20V(±)是该MOSFET的最大栅极-源极电压范围,超过这个范围可能导致器件损坏。
- Vth:2.5V是该MOSFET的阈值电压,即当栅极电压高于2.5V时,MOSFET开始导通。
- RDS(ON):在VGS=4.5V时为10mΩ,在VGS=10V时为9mΩ,这表示在不同栅极电压下,MOSFET的静态漏极-源极电阻不同。
- ID:100A是该MOSFET的最大连续漏极电流,超过这个电流可能导致器件过热损坏。
3. 应用领域和模块示例:
- 电源模块:由于076N12N-VB具有较低的漏极-源极电阻和较高的漏极电流能力,适用于高性能电源模块,如服务器电源和通信设备电源。
- 电动工具:可用于电动工具中的电源开关和电流控制,由于其高电流能力和低导通电阻,提供高效的电能转换和管理。
- 医疗设备:由于其高电压和电流能力,适用于医疗设备中的电源管理和开关控制,确保设备的稳定性和高效运行。
请注意,以上示例仅用于说明该MOSFET可能的应用领域和模块,实际应用需根据具体设计要求进行评估。