10N10L-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

10N10L-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.8V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导通电阻（RDS(ON)）为127mΩ，最大漏极电流（ID）为18A。该产品采用Trench技术。

详细参数说明如下：
- 产品型号：10N10L-VB
- 封装：TO220
- 极性：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：100V
- 栅极-源极电压（VGS）：20（±V）
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- 导通电阻（RDS(ON)）：127mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：18A
- 技术：Trench

该产品适用于以下领域和模块：
1. 电源管理模块：用于中功率的开关电源、DC-DC转换器等模块。
2. 电动车辆领域：用于电动汽车的电池管理系统、电机驱动器等模块。
3. 工业控制领域：用于工业设备的功率开关控制，如变频器、UPS等设备。
4. 照明领域：用于LED驱动器等低频率开关电源。

以上是10N10L-VB MOSFET的简介、详细参数说明和适用领域和模块的语段形式举例。