10N20-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

10N20-VB是一款单N沟道MOSFET，具有以下主要参数：

- VDS（漏极-源极电压）：200V
- VGS（门极-源极电压）：20V（±）
- Vth（门极阈值电压）：3V
- RDS(ON)（导通时的漏极-源极电阻）：265mΩ@VGS=10V
- ID（漏极电流）：10A
- 技术特点：沟道工艺

产品简介：
10N20-VB是一款高压、高性能的单N沟道MOSFET。采用了沟道工艺技术，具有较低的导通电阻和较高的漏极电压，适用于各种高压、高性能要求的场合。

详细参数说明：
1. VDS（漏极-源极电压）：200V，可以适应较高的电压环境。
2. VGS（门极-源极电压）：20V（±），可靠的门控电压范围。
3. Vth（门极阈值电压）：3V，可靠的门控特性。
4. RDS(ON)（导通时的漏极-源极电阻）：265mΩ@VGS=10V，低导通电阻，有利于减小功耗和提高效率。
5. ID（漏极电流）：10A，适用于一般功率要求的场合。
6. 技术特点：沟道工艺，提供了较高的性能和可靠性。

应用示例：
10N20-VB可以广泛应用于以下领域和模块：
- 电源模块：适用于各种高压电源开关模块。
- 工业控制：适用于工业控制设备中的高压电源开关等模块。
- LED照明：可用于LED照明驱动器中的高压功率开关模块。
- 电动车充电桩：适用于电动车充电桩中的高压功率开关模块。
- 太阳能逆变器：适用于太阳能逆变器中的高压功率开关模块。

这些示例表明，10N20-VB在高压、高性能要求的场合具有广泛的应用前景。