10N75L-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 10N75G-TA3-T-VB 产品简介

10N75G-TA3-T-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有高压（700V）和高电流（12A）特性。采用平面工艺制造，适用于各种领域和模块，如电源管理、电机驱动和照明等。

### 详细参数说明

- **包装类型（Package）**：TO220
- **配置（Configuration）**：单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：700V
- **栅极-源极电压（VGS）**：30V（±）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：870mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：12A
- **技术特点（Technology）**：平面工艺

### 应用示例

- **电源管理**：用于开关电源、逆变器和稳压器等电路中。
- **电机驱动**：可用于控制电机的启停、速度和方向。
- **照明**：适用于 LED 驱动和照明控制电路。

这些示例只是 10N75G-TA3-T-VB 在各个领域和模块中的一部分应用，具体应用取决于具体设计需求。