11NM50N-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介：
11NM50N-VB TO252是一款单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3.5V的阈值电压（Vth）、370mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及11A的漏极电流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技术制造。

### 参数说明：
- **Package（封装）：** TO252
- **Configuration（配置）：** 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 650V
- **VGS（栅极-源极电压）：** 30V（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 370mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 11A
- **Technology（技术）：** SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例：
1. **电源逆变器：** 11NM50N-VB TO252适用于电源逆变器中的开关管，用于将直流电转换为交流电。
2. **太阳能逆变器：** 在太阳能逆变器中，可以用作关键的开关元件，实现太阳能电能的转换和输出。
3. **UPS电源：** 适用于UPS电源系统中的开关管，提供稳定可靠的电源切换和保护功能。
4. **电动汽车充电桩：** 可以作为电动汽车充电桩中的开关管，控制充电电流和充电时间。
5. **工业控制系统：** 在工业控制系统中，可以用于各种电机驱动和开关控制，提供高效的工业控制方案。

以上示例说明了11NM50N-VB TO252在各种领域和模块中的广泛应用，展示了其高压、高性能和多功能性。