### 产品简介
**型号:11NM60ND-VB TO252**
VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计,具有低导通电阻和高电压承受能力,适用于各种高压高功率应用。
### 参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:370mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:11A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **电源逆变器**:
- **家用逆变器**:11NM60ND-VB适用于家用逆变器中的高压开关,如家庭太阳能电池系统、UPS系统等,提供可靠的电能转换功能。
- **工业逆变器**:在工业级逆变器中,这款MOSFET可以作为高压开关器件,用于各种工业设备的电能转换和管理。
2. **电动汽车充电桩**:
- **直流充电桩**:11NM60ND-VB可用作直流充电桩中的高压开关,确保电动汽车的快速充电和高效能转换。
- **交流充电桩**:在交流充电桩中,这款MOSFET可以用于高压开关,提供高效的电能转换,适用于城市和道路充电设施。
3. **电源管理**:
- **高压开关电源**:适用于各种高压开关电源中的高压开关器件,如服务器电源、工控电源等,提供稳定可靠的电源管理功能。
- **电源逆变器**:在电源逆变器中,这款MOSFET可以用于高压开关,提供高效能转换和电能管理,适用于各种电源系统。
4. **医疗设备**:
- **X射线发生器**:11NM60ND-VB可用于X射线发生器中的高压开关,确保X射线发生器的稳定和高效能工作。
- **医疗成像设备**:在医疗成像设备中,这款MOSFET可以用于高压开关,提供高质量的成像和稳定的设备工作。
通过其优秀的电气性能和广泛的应用范围,VBsemi的11NM60ND-VB MOSFET为各种高压高功率应用提供了可靠和高效的解决方案。