## 产品简介:
VBsemi的MOSFET产品11NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Plannar技术,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和12A的漏极电流(ID)能力。该产品在TO220F封装中提供,适用于需要中等电压和功率的应用。
## 参数说明:
- 封装:TO220F
- 构型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):680mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):12A
- 技术:Plannar
## 应用领域和模块:
1. **家电**:由于11NM60ND-VB具有适中的电压和电流能力,可用于家电产品中的开关电源、电机驱动器等模块,提供稳定的电力输出。
2. **照明应用**:这款MOSFET适用于LED驱动器和其他照明电源,能够提供中等功率的功率转换和可靠性。
3. **电源管理**:在一般的电源管理应用中,11NM60ND-VB可以用于稳压器、DC-DC转换器等模块,支持稳定的电力输出。
4. **工业控制**:在工业控制设备中,这款MOSFET可用于逆变器、电源管理单元等模块,提供可靠的功率控制和转换。
5. **医疗设备**:由于11NM60ND-VB具有中等的功率能力,可用于医疗设备中的电源管理和功率控制模块,提供可靠的电力支持。
以上是对11NM60ND-VB MOSFET产品的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的介绍。