11NM60ND-VB TO220F一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

## 产品简介：

VBsemi的MOSFET产品11NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了Plannar技术，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和12A的漏极电流（ID）能力。该产品在TO220F封装中提供，适用于需要中等电压和功率的应用。

## 参数说明：

- 封装：TO220F
- 构型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：680mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：12A
- 技术：Plannar

## 应用领域和模块：

1. **家电**：由于11NM60ND-VB具有适中的电压和电流能力，可用于家电产品中的开关电源、电机驱动器等模块，提供稳定的电力输出。

2. **照明应用**：这款MOSFET适用于LED驱动器和其他照明电源，能够提供中等功率的功率转换和可靠性。

3. **电源管理**：在一般的电源管理应用中，11NM60ND-VB可以用于稳压器、DC-DC转换器等模块，支持稳定的电力输出。

4. **工业控制**：在工业控制设备中，这款MOSFET可用于逆变器、电源管理单元等模块，提供可靠的功率控制和转换。

5. **医疗设备**：由于11NM60ND-VB具有中等的功率能力，可用于医疗设备中的电源管理和功率控制模块，提供可靠的电力支持。

以上是对11NM60ND-VB MOSFET产品的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的介绍。