### 产品简介:
13NM60ND-VB 是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),320mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON)),以及20A的漏极电流(ID)。采用了Plannar工艺。适用于中压、中电流的应用场合。
### 参数说明:
- **Package:** TO220F
- **Configuration:** Single-N-Channel
- **VDS(漏极-源极电压):** 650V
- **VGS(栅极-源极电压,±V):** 30V
- **Vth(阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 320mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 20A
- **Technology(工艺):** Plannar
### 应用示例:
1. **电源转换器:** 13NM60ND-VB 可用于中压、中电流的电源转换器中,如电源适配器、UPS等,以提供稳定的电压和电流输出。
2. **照明控制:** 适用于中压、中电流的照明控制系统中,如LED照明、舞台照明等,实现对灯光的控制和调节。
3. **电动汽车充电桩:** 可用于中压、中电流的电动汽车充电桩中,提供对电动车电池的充电功能。
4. **太阳能逆变器:** 适用于中压、中电流的太阳能逆变器中,实现太阳能电池板产生的直流电到交流电的转换。
5. **工业控制系统:** 可用于中压、中电流的工业控制系统中,如电机控制、传感器接口等。
以上仅为一些典型应用示例,实际应用取决于具体设计要求和环境。