### 产品简介
VBsemi的18N50W-VB是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有600V的漏极-源极电压(VDS)和30V的门极-源极电压(VGS)。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有优异的性能和可靠性。它的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))为190mΩ(在VGS=10V时),最大漏极电流(ID)为20A。这使得18N50W-VB非常适合中高压应用,如电源管理、电机驱动器和其他需要高性能MOSFET的领域。
### 详细参数说明
- **Package**:TO3P
- **Configuration**:Single-N-Channel
- **VDS**:600V
- **VGS**:30V(±)
- **Vth**:3.5V
- **RDS(ON)**:190mΩ @ VGS=10V
- **ID**:20A
- **Technology**:SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块示例
18N50W-VB适用于各种需要中高压、高性能MOSFET的应用,包括但不限于:
1. **电源管理**:18N50W-VB的高漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适合用于开关电源、电源逆变器和电源转换器等中高压电源管理系统中。
2. **电机驱动器**:18N50W-VB可用于电动汽车、工业机械和家用电器等领域的中高压电机驱动器,其能够提供高效率和可靠性。
3. **工业控制**:在需要控制中高电压和电流的工业控制系统中,18N50W-VB可以用作开关器件,以实现高效的能量转换。
4. **照明应用**:18N50W-VB的高性能和可靠性使其成为LED照明驱动器和其他中高压照明应用的理想选择。
5. **汽车电子**:在汽车电子系统中,18N50W-VB可用于电动汽车充电桩、DC-DC转换器和其他中高压应用。
总之,18N50W-VB是一款功能强大、可靠性高的中高压MOSFET,适用于各种中高压应用领域和模块。