### 产品简介:
VBsemi的18N60M2-VB TO220F是一款单N沟道MOSFET,具有高耐压和低导通电阻。采用Plannar技术,适用于各种领域和模块的高性能应用。
### 详细参数说明:
- **包装**:TO220F
- **结构**:单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:320mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:20A
- **技术**:Plannar
### 应用示例:
1. **电力因素校正器**:由于其高耐压和低导通电阻,18N60M2-VB TO220F适用于电力因素校正器模块,能够提高电力系统的效率。
2. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,这款MOSFET可以用于控制电流和电压,实现快速充电。
3. **太阳能逆变器**:在太阳能逆变器中,这款MOSFET能够承受高压,适用于电能转换和储存模块。
4. **工业电源**:在工业电源设备中,这款MOSFET可以用于开关电源和UPS系统,提供可靠的电力输出。
5. **电机驱动**:在需要大电流输出的电机驱动模块中,这款MOSFET能够提供可靠的开关控制和低损耗的功率转换。
以上是18N60M2-VB TO220F的产品简介、详细参数说明和应用示例。