18N6L-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

VBsemi的18N6L-VB是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有60V的漏极-源极电压（VDS）和20V的门极-源极电压（VGS）。该器件采用Trench技术制造，具有优异的性能和可靠性。它的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）为30mΩ（在VGS=4.5V时）和25mΩ（在VGS=10V时），最大漏极电流（ID）为45A。这使得18N6L-VB非常适合低压应用，如电源管理、电机驱动器和其他需要高性能MOSFET的领域。

### 详细参数说明

- **Package**：TO252
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：60V
- **VGS**：20V（±）
- **Vth**：1.7V
- **RDS(ON)**：30mΩ @ VGS=4.5V；25mΩ @ VGS=10V
- **ID**：45A
- **Technology**：Trench

### 适用领域和模块示例

18N6L-VB适用于各种低压、高性能MOSFET的应用，包括但不限于：

1. **电源管理**：18N6L-VB的低漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适合用于开关电源、电源逆变器和电源转换器等低压电源管理系统中。

2. **电机驱动器**：18N6L-VB可用于电动汽车、工业机械和家用电器等领域的低压电机驱动器，其能够提供高效率和可靠性。

3. **照明应用**：由于其低漏极-源极电压和低导通电阻，18N6L-VB适用于LED照明驱动器和其他低压照明应用。

4. **消费电子**：在需要高性能、低压MOSFET的消费电子产品中，18N6L-VB可以用于电源管理、DC-DC转换器等模块。

5. **电池管理**：18N6L-VB也可以用于电池管理系统中，以实现对电池的高效充放电控制。

总之，18N6L-VB是一款功能强大、可靠性高的低压MOSFET，适用于各种低压应用领域和模块。