### 产品简介:
VBsemi的18N55M5-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于需要高电压和高电流的应用场合。其高性能和可靠性使其成为电源管理和电机控制等领域的理想选择。
### 参数说明:
- **包装**: TO220F
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 160mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 20A
### 产品简介:
VBsemi的18N55M5-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于需要高电压和高电流的应用场合。其高性能和可靠性使其成为电源管理和电机控制等领域的理想选择。
### 参数说明:
- **包装**: TO220F
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 160mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 20A