18N55M5-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

最新推荐文章于 2024-07-30 11:16:38 发布
最新推荐文章于 2024-07-30 11:16:38 发布
阅读量209 收藏
点赞数 2
分类专栏： mosfet应用与解析 文章标签： MOS管 VBsemi MOSFET
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/VBsemi_MOSFET/article/details/140791377
版权

### 产品简介：

VBsemi的18N55M5-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于需要高电压和高电流的应用场合。其高性能和可靠性使其成为电源管理和电机控制等领域的理想选择。

### 参数说明：

- **包装**: TO220F
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 160mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 20A

VBsemi_微碧半导体
关注
  • 2
    点赞
  • 踩
  • 0
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
18N65M5-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
07-30
18N65M5-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V；ID：20A；Technology：SJ_Multi-EPI；
18N55M5-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
07-30 241
4. **太阳能逆变器：** 18N55M5-VB的高电压和低导通电阻使其成为太阳能逆变器的理想选择，可提高太阳能电池板的转换效率。2. **电动汽车充电器：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，这款MOSFET适用于电动汽车充电器，可实现高效率的充电。1. **电源模块：** 18N55M5-VB可以用于开关电源模块，提供高效率和可靠性。- **VGS（栅极-源极电压）：** 30V（±）- **VDS（漏极-源极电压）：** 650V。- **型号：** 18N55M5-VB。
18N65M5-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
07-30 407
18N65M5-VB是一款单N沟道MOSFET，具有700V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。- **电源电池管理**：18N65M5-VB可以用于电动汽车、太阳能逆变器等高压电源管理模块，提供可靠的功率控制和管理。- **照明系统**：可用于高压LED照明系统中的功率开关，实现高效的LED光源控制和调节。- **电力传输**：适用于电力传输系统中的功率开关模块，提供可靠的电力传输和控制。- **工业自动化**：适用于工业设备中的电源开关模块，提供高效的电源转换和管理。
18N60M2-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
07-30 292
1. **电力因素校正器**：由于其高耐压和低导通电阻，18N60M2-VB TO220F适用于电力因素校正器模块，能够提高电力系统的效率。5. **电机驱动**：在需要大电流输出的电机驱动模块中，这款MOSFET能够提供可靠的开关控制和低损耗的功率转换。4. **工业电源**：在工业电源设备中，这款MOSFET可以用于开关电源和UPS系统，提供可靠的电力输出。3. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，这款MOSFET能够承受高压，适用于电能转换和储存模块。- **包装**：TO220F。
18N65M5-VB TO247一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
07-30 131
5. **电动工具:** 由于其高电压和电流特性，18N65M5-VB适用于电动工具中的功率开关器件，确保设备具有稳定可靠的性能。1. **电动汽车:** 在电动汽车的功率控制模块中，18N65M5-VB可用作电动机的驱动器，确保高效率和可靠性的动力输出。3. **工业电源:** 在工业领域中，18N65M5-VB可用于高压和高电流的工业电源系统，如电焊机、电炉和工业自动化设备。- **型号:** 18N65M5-VB TO247。- **VDS (漏极-源极电压):** 650V。
18N60M2-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
07-30 239
VBsemi的18N60M2-VB TO220是一款TO220封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），220mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及15A的漏极电流（ID）。- 导通电阻（RDS(ON)）：220mΩ @ VGS=10V。- VGS（栅极-源极电压）：30V（±V）- VDS（漏极-源极电压）：650V。- 技术：SJ_Multi-EPI。- 漏极电流（ID）：15A。
18N50-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
07-30 157
5. **照明应用:** 在需要高亮度和高效率的LED照明系统中，18N50-VB可提供可靠的功率开关功能，帮助实现节能和环保的照明解决方案。1. **电源逆变器:** 18N50-VB的高电压和电流特性使其成为逆变器中的理想选择，可用于太阳能逆变器、UPS系统和工业电源等应用。3. **工业控制系统:** 在需要高电压和高电流的工业控制系统中，18N50-VB可用于驱动电机、控制电炉和变压器等应用。- **VDS (漏极-源极电压):** 650V。- **型号:** 18N50-VB。
18N6L-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
07-30 252
1. **电源管理**：18N6L-VB的低漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适合用于开关电源、电源逆变器和电源转换器等低压电源管理系统中。4. **消费电子**：在需要高性能、低压MOSFET的消费电子产品中，18N6L-VB可以用于电源管理、DC-DC转换器等模块。3. **照明应用**：由于其低漏极-源极电压和低导通电阻，18N6L-VB适用于LED照明驱动器和其他低压照明应用。5. **电池管理**：18N6L-VB也可以用于电池管理系统中，以实现对电池的高效充放电控制。### 详细参数说明。
18N60-VB一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
07-30 381
5. **高压直流输电（HVDC）系统：** 在HVDC系统中，18N60-VB TO247可用于开关装置，帮助实现高效的能量传输。3. **电动汽车充电桩：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，18N60-VB TO247适用于电动汽车充电桩中的功率开关。1. **电源模块：** 18N60-VB TO247适用于高压开关电源和直流-直流转换器，可用于工业和通信设备中的电源模块。- **最大门极-源极电压（VGS）：** ±30V。- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V。
电脑升级改造纪实，增加路由器刷机固件
最新发布
09-04
路由器固件
私域人员配置表.xlsx
09-04
私域人员配置表
捷报体育——体育保龄球打卡_HidordProject.zip
09-04
捷报体育——体育保龄球打卡_HidordProject
NTD18N06LT4G-VB: 175°C耐高温N沟道TO252封装场效应晶体管
总结来说，NTD18N06LT4G-VB是一款高效、可靠且适应性强的N沟道MOSFET，适用于电力电子设备，特别是那些需要高温、低损耗和良好散热管理的应用场合。在设计电路时，应充分考虑其规格和工作条件，确保正确选型并确保...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值