18N60-VB一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：
VBsemi 18N60-VB TO247 MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用平面（Plannar）技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高压功率电子应用。

### 详细参数说明：
- **封装：** TO247
- **器件类型：** 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **最大门极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：**
  - VGS = 10V时：430mΩ
- **漏极电流（ID）：** 18A
- **技术：** 平面（Plannar）

### 应用领域和模块示例：
1. **电源模块：** 18N60-VB TO247适用于高压开关电源和直流-直流转换器，可用于工业和通信设备中的电源模块。
2. **太阳能逆变器：** 在太阳能逆变器中，这款MOSFET可以用于直流-交流转换器，提供高效率的能量转换。
3. **电动汽车充电桩：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，18N60-VB TO247适用于电动汽车充电桩中的功率开关。
4. **工业控制系统：** 这款MOSFET可用于工业控制系统中的高压开关器件，提供可靠的电力控制。
5. **高压直流输电（HVDC）系统：** 在HVDC系统中，18N60-VB TO247可用于开关装置，帮助实现高效的能量传输。

这些示例说明了18N60-VB TO247 MOSFET在高压功率应用中的应用，展示了其在各种领域和模块中的高性能和可靠性。