### 产品简介
19N10G-TA3-T-VB是一款单路N沟道场效应管(MOSFET),采用槽沟道技术,具有高达100V的漏极-源极电压(VDS)和18A的漏极电流(ID)能力。该器件采用TO220封装,适用于多种领域和模块,提供可靠的性能和高效的功率控制。
### 参数说明
- **型号:** 19N10G-TA3-T-VB
- **封装:** TO220
- **构造:** 单N沟道
- **VDS (漏极-源极电压):** 100V
- **VGS (栅极-源极电压):** ±20V
- **Vth (阈值电压):** 1.8V
- **RDS(ON) (导通电阻):** 127mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏极电流):** 18A
- **技术:** 槽沟道
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理:** 由于其适中的电压和电流特性,这款MOSFET可用于开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正(PFC)电路等。
2. **汽车电子:** 在汽车电子系统中,19N10G-TA3-T-VB可用于发动机控制单元、照明控制和电动汽车充电器等应用。
3. **工业控制系统:** 适中的参数使得这款MOSFET成为工业控制系统中的理想功率开关元件,可用于驱动电机、控制温度和光照等应用。
4. **电动工具:** 对于电动工具(如电钻、电锯等)中的功率控制,这款MOSFET提供了一种可靠和高效的解决方案。
5. **LED照明:** 在LED照明应用中,19N10G-TA3-T-VB可提供可靠的功率开关功能,帮助实现节能和高亮度的照明解决方案。
以上是一些19N10G-TA3-T-VB可应用的领域和模块示例,但并不局限于此,具体应用取决于设计要求和系统需求。