**产品简介:**
VBsemi的200N15N-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有150V的漏极-源极电压(VDS)和20V的门极-源极电压(VGS)。采用了沟道技术,具有优异的性能和可靠性,适用于中低压应用场合。
**详细参数:**
- 封装:TO220
- 构型:单N沟道
- VDS(漏极-源极电压):150V
- VGS(门极-源极电压):±20V
- Vth(阈值电压):3V
- RDS(ON)(导通电阻):30mΩ@VGS=10V
- ID(漏极电流):50A
- 技术:沟道
**适用领域和模块示例:**
- **电源管理**:200N15N-VB适用于中低压电源管理模块,提供可靠的功率控制和管理。
- **汽车电子**:可用于汽车电子系统中的电源管理模块,提供高效的电源控制。
- **工业控制**:适用于工业控制系统中的功率开关模块,提供可靠的电力传输和控制。
- **LED照明**:200N15N-VB可以用于LED照明系统中的功率开关,实现高效的LED光源控制和调节。
以上是对200N15N-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式举例说明。