### 一、产品简介
2622GY-VB 是 VBsemi 生产的一款双N沟道MOSFET,封装为SOT23-6,具有双N沟道配置,适用于低压、低功率的电路控制和开关应用。采用沟槽技术(Trench),尽管性能较低,但在特定应用场景下仍具有一定的作用。
### 二、详细参数说明
- **型号**:2622GY-VB
- **封装**:SOT23-6
- **配置**:双N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源极电压 (VGS)**:20(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:3000mΩ @ VGS=4.5V,1800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:0.35A
- **技术**:沟槽技术(Trench)
### 三、应用领域和模块示例
1. **电路保护**:2622GY-VB 可以用作低功率电路的保护开关,保护电路免受过载和短路的损害。
2. **传感器控制**:在需要对传感器进行控制的系统中,该MOSFET可以用于信号开关和放大。
3. **医疗器械**:在一些低功率的医疗器械中,2622GY-VB 可以用于控制电路,保证设备的正常运行。
4. **消费类电子产品**:在一些消费类电子产品中,如智能手环、智能眼镜等,该MOSFET可以用于控制电路和电源管理。
5. **LED控制**:在一些低功率LED灯具中,2622GY-VB 可以用于LED控制和调光。
尽管2622GY-VB 的性能较低,但在一些低功率、低压的应用场景中仍有一定的适用性,可以作为一种经济实惠的选择。