2623GY-VB一种P+P-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

### 一、2623GY-VB产品简介

2623GY-VB是VBsemi公司推出的一款双P+P沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低电压和低功率的应用。该器件具有低导通电阻和高可靠性，适用于各种功率控制和开关电路。

### 二、2623GY-VB详细参数说明

- **型号：** 2623GY-VB
- **封装类型：** SOT23-6
- **配置：** 双P+P沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)：** -20V
- **栅极-源极电压 (VGS)：** ±12V
- **栅极阈值电压 (Vth)：** -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))：** 100mΩ @ VGS = 2.5V, 75mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)：** -4A
- **技术：** Trench

### 三、2623GY-VB的应用领域和模块示例

2623GY-VB MOSFET适用于以下领域和模块：

1. **便携式设备：** 在便携式设备中，2623GY-VB可用于电池管理和电源控制模块，提供高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **电源管理：** 在低电压电源管理系统中，2623GY-VB可用于开关电源和稳压器，提供稳定的电力输出和电压调节。

3. **医疗设备：** 在医疗设备中，2623GY-VB可用于电源控制和开关模块，提供稳定的功率输出和可靠的性能。

4. **传感器接口：** 在传感器接口电路中，2623GY-VB可用于信号放大和开关控制，提供稳定的信号传输和控制功能。

5. **汽车电子：** 在汽车电子系统中，2623GY-VB可用于车载电源管理和控制模块，提供高效的能量转换和稳定的功率输出。

通过以上示例，可以看出2623GY-VB在低电压和低功率处理能力要求的各种应用中发挥着重要作用，为这些应用提供了可靠的电力控制和开关功能。