2SK2173-VB一种N-Channel沟道TO3P封装MOS管

### 产品简介：2SK2173-VB

2SK2173-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用TO3P封装，适用于高效电源转换和开关应用。该器件采用Trench技术，具有低导通电阻、高电流处理能力和稳定的性能特性。

### 详细参数说明：

- **型号**: 2SK2173-VB
- **封装**: TO3P
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 3.6mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 210A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块举例：

1. **电源模块**：2SK2173-VB适用于需要高功率密度和高效能量转换的电源模块，如服务器电源、工业电源和通信电源，提供稳定的电压和电流输出。

2. **电动汽车**：在电动汽车的驱动系统中，该MOSFET可用作电机驱动器的开关元件，提供高效的电能转换和强大的动力输出。

3. **工业电机驱动器**：在需要高性能电机控制的应用中，如工业马达控制器、电动工具等，2SK2173-VB可提供可靠的开关功能和高效的能量转换。

4. **电池管理系统**：在需要高功率密度的电池充放电管理系统中，该MOSFET可用于开关充电和放电回路，确保电池的安全和高效管理。

5. **电力逆变器**：在需要高性能逆变器的应用中，如太阳能逆变器、风力发电逆变器等，2SK2173-VB可作为逆变器的关键开关元件，将直流电转换为交流电。

通过以上领域的应用，2SK2173-VB显示出其在高功率、中压和高效能量转换要求下的优越性能，成为多种电力电子系统中的理想选择。