阻容感基础05：电容器原理（2）-电容器参数

说在开头：关于相对性原理

爱因斯坦在1905年发表了划时代意义的6篇论文，但对当时物理学界来说，并没有引起太大的波澜，直到他的论文引起了普朗克的关注。普朗克当时正担任《物理学年签》的主编，他一看到爱因斯坦的论文，就觉得这小伙的思想非常大胆新颖，于是对爱因斯坦赏识有加：爱因斯坦简直就是当代的哥白尼啊。那普朗克为什么这么欣赏爱因斯坦呢？

爱因斯坦在论文中首先指出了“以太”是不存在的：光在虚空之中，总是以固定的速度传播，跟光源无关。这是爱因斯坦狭义相对论的公设，他彻底放弃了“以太”的概念。普朗克看的两眼发直：大家讨论了100年的“以太”，说扔就扔了，有魄力！再往后看更毁三观：爱因斯坦将“同时性”给费了，只坚持了两个基本的公设：1，相对性原理；2，光速不变。在这两条前提下推导出了整个体系。

那时的物理学家已经知道了“同一地点”是相对的，假如在行驶的公交车上，乘客把钱交给售票员，售票员又把票交给乘客；那么售票员和乘客都觉得是在同一地点发生的事，因为他们都站着没有动（相对公交车）。但是如果地面上有一个观察者，他看到乘客将钱交给售票员和售票员将票交给乘客这两件事情，不是在同一地点发生的（相对于地面）。所谓的“相对性”，就是不同的观察者观察同一事件，看到的东西是不一样的。

但大家都觉得“同时性”是不会有问题的，比如乘客把钱给售票员以及售票员把票给乘客的时间，无论是在车上还是在地面上的观察者来说，两者应该是同时发生的。爱因斯坦描述了一个思想实验，来说明“同时性”的问题（如下图）：在一列飞驰的火车上，上帝打了个闪电，这个闪电有点奇怪，在地面上的观察者A看来，这一头一尾是同时被打中的；同时在车顶也有一位观察者B，他在火车的正中心；人只能依靠车头车尾传过来的光知道发生了什么事。由于光速不变，而火车在往前开，那么车头的光走得近，车尾的光走得远，那么对于列车中间的观察者看来，这两件事不是同时发生的。因此爱因斯坦说：绝对的时间观念是不存在的，因为观察者的不同，你觉得是同时发生的事件，其他人看来不见得是这样。

有了这个思想，一个新的物理学时代就此到来，时间也是相对的，并不存在绝对的、统一的时间概念：时间和信号的速度之间有着密不可分的联系。爱因斯坦以光速不变和相对性原理两条基本共设为前提，顺利地推导出了与洛伦兹完全相同的变换公式。但是这个公式的含义与洛伦兹的理念完全不同：洛伦兹认为他的公式是绝对时空与另外一个惯性参考系之间的换算，但爱因斯坦则早就放弃了绝对时空的概念，认为这一公式是任意两个惯性系之间的变换。爱因斯坦赋予了洛伦兹公式全新的意义，废除了关于以太存在的很多假设：洛伦兹收缩、拖曳系数、光会受到以太的影响等等。物理学的游戏规则就是如此：用尽量少的假设和人为规定来搭建整个理论体系（奥卡姆的剃刀原则）。

但是爱因斯坦在解决了一大堆过去非常头痛的遗留问题同时，又搞出了一堆奇葩的结论，比如：“钟慢尺短”效应。假如有个人沿着直线匀速地从你面前飞驰而过，他手里拿着一把39米长的大砍刀，你也拿着一把39米长的大砍刀，在飞驰而过的一瞬间，两个人相互比了下刀的长度，双方都觉得对方的刀比自己的刀短了一截，即大刀在运动的方向上会发生收缩现象。不仅空间是相对的，而且时间也是相对的，爱因斯坦说：沿着直线在路边排列一大溜钟，这些钟都是非常准的，一个人肩上扛着钟沿着直线飞驰而过，然后拿自己的钟和路边的钟做比较，会发现路边的钟与他扛的钟走的不一样：路边的钟走的慢。总结起来说，物体运动会导致：空间收缩，时间延缓。这个效应被称为“钟慢尺短“效应。（参考自:吴京平-柔软的宇宙）

三，电容器参数

1，电容器容值

在硬件电路上使用电容器，我们首先关注的便是电容器容值，但是电容容值C会随环境发生改变，也会随外加电压、工作频率以及测量方法的改变而发生变化。不同种类电容器对不同的环境/电应力的表现也同，举个栗子：陶瓷电容器容值对外加电压的变化很敏感（陶瓷电容：大家都知道了喔？）；铝电解电容器容值随工作频率的影响很大。具体在特定硬件电路中的容值大小，需要根据电容器spec中的环境条件曲线，具体分析。

那么，电容器上的容值标称值是怎么来的呢？首先当然是用万能的数学计算并设计出来的，然后是测试筛选。如下栗子是铝电解和陶瓷电容容值的出厂测试标准：

1. 铝电解电容器容值测量条件：频率为 120Hz、最大AC电压为 0.5Vrms、DC 偏压为5V～2.0V 的条件下进行；
2. 陶瓷电容器容值测量条件：频率为1kHz、最大AC电压为1Vrms、DC 偏压为0V条件下进行；不同陶瓷电容测试标准如下图所示

不知道大家看到了啥，反正我看到了MLGP的：这个标称值当真就只能标出来看看而已啊；如果对容值敏感的电路应用，一定要看规格资料，并找到相应的容值曲线，然后再看一看~

2，额定电压

电容器额定工作电压：该电容器在电路中能够长期可靠地工作而不被击穿所能承受的最大直流电压。如上一节所述，当在电容器的两极施加电压之后，电容电介质材料会产生极化，但这些电荷依然受介质本身的束缚而不能自由移动，介质的绝缘性能尚未遭到破坏，只有少数电荷脱离束缚而形成很小的漏电流（这个能量损耗，就算你“介质损耗”头上了）。如果外加电压不断加强，最后将使极化电荷大量脱离束缚，引起漏电流大大增加，造成介质材料的绝缘性能遭到破坏，使电容器两极短接，从而完全丧失电容器的作用，这种现象称为介质击穿。

——电容器的耐压与电容器的结构、介质材料和介质的厚度有关；一般来说，对于结构、介质相同，容量相等的电容器，其耐压值越高，体积也越大。

额定工作电压值一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，则会造成不可修复的永久损坏；所以电容器的实际工作电压应低于额定工作电压，并留有足够余量（来一个降额设计，具体在后续的《可靠性设计基础》专题中详细讲解），以防因电压波动而导致电容器的损坏。

不同种类的电容器降额要求不同，例如：铝电解电容、固体铝电容、Polymer 铝电容以及陶瓷电容，由于其材料不同，电容损坏后的失效模式也不同，所以降额也有所不同；电容器工作电压的具体降额，不同公司有不同的要求，一般情况下电容器的额定工作电压的10%~20%（在大电压（>12V）电路应用中，要求更高）；在某些电路中，如果电压波动幅度较大，则需留有更大的余量。

3，电容器耗散系数

电容器耗散系数： DF = tan δ(损耗角) =  ESR / Xc  = (Rs) * (ωC)；是串联等效电阻（ESR）同电容容抗 （1/ωC）（测量频率）之比（电容器每周期损耗能量与储存能量之比）；它随测量频率的增加而变大。

——为什么损耗角是正切值？好，在电容器模型中，ESR是实数（实数轴）而Xc是虚数（虚数轴），那么脑袋里想象第四象限（啥是第四象限哪？艾玛，右下角）的一个点，如下左图所示，实数代表实际的损耗，而虚数代表储存的能量，实数除以虚数表示耗散系数，其就是刚好直角三角形的tanδ。

——如下右图，由于电容器的泄漏电阻（Rp）、等效串联电阻（Rs）和等效串联电感（L）这三项电容寄生参数很难分开，所以许多电容器厂家将它们合并成一项指标：损耗因数（同耗散系数）。

电容器耗散系数一般随温度的升高而增加，随频率的升高而变化（会随频率的升高电容器损耗先增加后减小，后续《信号完整性基础》专题具体分析）：

1. 云母和玻璃电介质的电容器，其 DF 值一般在 0.03% 至 1.0% 之间；

2. 室温时，陶瓷电容器的 DF 范围是 0.1% 至 2.5%；

3. 电解电容器的 DF 值比较大（ESR大，几Ω），通常远大于上述范围；

4. 薄膜电容器损耗因数最小，其 DF 值小于 0.1%。

4，电容器介质损耗因数

介质损耗：是指绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。主要分为如下两部分：

1. 电导损耗：又称为漏导损耗；实际电介质并非理想的绝缘体，其在外电场的作用下，总会有一些带电粒子（电子、正离子、负离子）会沿电场方向移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能；这种因电导而引起的介质损耗也称为“漏导损耗”。

2. 极化损耗：在介质发生缓慢极化时（松弛极化、空间电荷极化等），带电粒子在电场力的影响下因克服热运动（位置发生了移动）而引起的能量损耗。

        1, 电子式极化（电子位移极化）：在外电场作用下，介质原子中的电子轨道相对于原子核发生了弹性位移；正负电荷中心不再重合而出现偶极距。

        ——电子位移极化出现在任何电介质中，其完成极化所需的时间很短，且外加电场消失后整体恢复中性；这种极化不产生能量损耗，不会使介质发热。

        2, 离子式极化：固体无机化合物大多属于离子式结构，正负离子对称排列，各离子对的偶极矩相互抵消，平衡极距为0，在外加电场作用下，正负离子将发生方向相反的偏移，使平均偶极矩不再为0，介质呈现极化。

        ——离子式极化时离子相对位移有限，外加电场消失后即回复原状；所需时间很短，几乎与外加电场频率无关。

        3, 偶极子极化：分子具有固有的电距：即正负电荷的中心不重合，由极性分子组成的电介质称为极性电介质；极性分子在没有外加电场时因热运动而杂论无序排列，宏观电距为0（电介质对外不表现极性），外加电场后原先杂乱的偶极子将沿着电场方向转动，作有规律的排列，从而显示出极性，称为偶极子极化。

        ——偶极子极化是非弹性的，极化过程需要消耗一定的能量，极化时间较长（0.1ns~ 10ms），电介质介电常数及损耗与频率有关：频率太高时偶极子将来不及转动，导致εr值在高频下变小，如下图所示当f > f1以后偶极子将越来越跟不上电场的交变，εr值不断下降；当f = f2时，偶极子已完全不跟着电场转动，只存在电子式极化。

3. 极性液体介质的ε和损耗tan(δ)如下左图所示：

        1, 当ω较小时偶极子转向完全可以跟上电场交变，极化得以充分发展，此时ε最大，而由于偶极子单位时间内转向次数不多，极化损耗很小，其主要由电导损耗引起（如在低频段，随着ω的增加tan(δ)反而减小，这是电容电流减小的结果）；

        2, 随着ω增大，转向极化逐渐跟不上电场的交变，ε开始下降，而偶极子单位时间内转向次数增加使极化损耗增加；

        3, 一旦ω大到偶极子完全来不及转向，ε变得最小且趋于某一值，tan(δ)也变得很小。

4. 固体介质损耗：

        1, 无极绝缘材料：1，云母：介质损耗很小，主要由电导引起损耗，是理想的电极绝缘材料，但机械性能较差；2，陶瓷：电导损耗 + 极化损耗；3，玻璃：电导损耗 + 极化损耗，损耗与玻璃成分有关（PCB板材，在《信号完整性基础》专题详细分析）。

        2, 有机绝缘材料：1，非极性有机绝缘材料：只有电子式极化，损耗取决于电导；2，极性有机绝缘材料：电导损耗 + 极化损耗。

在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ的余角δ)称为介质损耗角。介质损耗因数：是衡量介质损耗程度的参数，指介质损耗角正切值，简称介损角正切。如下图所示，总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值；介质损耗因数：tan(δ) = (P/Q) * 100% = (U*IR)/(U*IC) * 100% = IR/IC * 100%。

功率因数：是功率因数角Φ的余弦值（cosΦ），意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数：Cos(Φ) = (被测试品有功功率/被测试品视在功率) * 100%，其中S = 。

在在损耗很小时介质损耗因数和功率因数两个数值非常接近。

那介质损耗因数有什么用呢？

1. 可以用来诊断电容器介质绝缘下降导致损坏，例如：介质潮敏、污染、老化变质等产生介质绝缘性能下降；

2. 由于介质损耗表示的是一个交变电场中的损耗，频率越高那么损耗越大，所以在PCB高速链路设计中（ex：25Gbps）需考虑介质损耗对链路走线长度的影响（ 《信号完整性基础》专题具体分析）；

3. 微波炉正是利用特定材料（水、蛋白质、淀粉等）在特定频率（2.45GHz，跟2.4G WiFi同频段）的介质极化损耗大的原理。

——我家里的WIFI路由器到客厅之间会路过微波炉，每当微波炉开起来时网络就会断，导致电视画面卡住，这时这个知识点就用上了，好好给儿子上了一堂微波炉原理-“介质极化”和WIFI无线频段的课。

5，电容器损耗

电容器损耗：在单位时间内电容因发热所消耗的能量叫做损耗；

1. 在直流电场的作用下：电容器的损耗以漏导损耗的形式存在（一般较小）；

2. 在交变电场的作用下：电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。

 电容器损耗主要由：介质损耗、电导损耗（Rp）和电容所有金属部分的电阻（Rs）所引起：Power Loss = 2πfCV² * DF；此电容损耗公式由电容耗散系数定义推理所得。

6，寄生电阻

1. ESR：来源于导电电极结构的特性和绝缘介质的结构特性，ESR随着频率的变化而变化；当电容器工作在自谐振点频率时：电容的容抗和感抗大小相等（符号相反），等效为一个电阻，该电阻就是ESR，如下左图所示。不同电容器容值的ESR随频率变化如下右图所示。

2. 如上左图所示：

        1, 在低频率范围：电容器阻抗Z与理想电容器相同（与频率呈反向趋势，呈现容性），ESR在低频段取决于电介质极化损耗，呈现极化损耗的频率特性；

        2, 在自谐振频率点f0附近：阻抗Z受到寄生电感的影响，偏离了理想电容阻抗特性曲线，此时Z为最小值：ESR；

        3, 在高频率范围：阻抗Z与理d想电感器相同（与频率呈正向趋势，呈现感性），由于受到趋肤效应的影响（《信号完整性基础》专题具体分析），电极损耗占主导作用，呈上升趋势。

3. 如下右图所示，不同材料电容器（电容量均为10uF）的阻抗-频率曲线和ESR-频率曲线：

        1, 1KHz以下频段的阻抗Z相同，在此频段的ESR和ESL对阻抗Z的影响非常小；

        2, 1KHz以上频段铝电解电容/钽电容器相比陶瓷/薄膜电容器的阻抗要大很多，主要原因是铝电解/钽电容器在此频段介质损耗增加，导致ESR增大。

7，寄生电感

1. ESL（寄生电感）：电容的寄生电感主要取决于电容的结构和管脚封装，产生自电容引脚和电容板的电感；

        1, 在低频应用时感抗较小，基本可以不考虑；

        2, 当频率较高时，就需要考虑这个电感，它能将容抗变成感抗。

        ——举个栗子，0805封装的0.1uF贴片电容器，每管脚电感约为1.2nH，那么该电容器ESL为2.4nH，计算电容C和ESL的谐振频率在10MHz左右；所以当频率高于10MHz时电容器表现为电感的特性。

2. 管式箔卷电容器管脚的ESL大于模制辐射式管脚配置的ESL，多层陶瓷和薄膜电容的ESL通常最低，而铝电解电容的ESL通常最高，因此电解电容一般不适合高频旁路应用。

——多层陶瓷电容器的ESL容易受到电极结构的影响，假设内部电极长度为L，宽度为w，厚度为d，那么电极电感ESL 正比于L* ln(L/(+d))；可得电容器的电极越短、越宽、越厚则ESL越小。

3. 不同尺寸多层陶瓷电容器的额定电容量与自谐振频率的关系，相同容量的电容器尺寸越小，自谐振频率越高（ESL越小）；

8，纹波电流、电压

纹波电流和纹波电压：电容器所能耐受纹波电流/电压值；它们和ESR 之间的关系密切：

Vrms = Irms × R。

Vrms ：纹波电压；

Irms ：纹波电流；

R ：电容ESR。

一般电解电容器对纹波有较高要求，避免叠加纹波电流后，由于电容器内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。

9，温度特性

电容温度系数： 电容器的电容量随温度变化的大小用温度系数（在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值）来表示；温度对不同类型电容器容量影响不同，陶瓷II/III类电容温度系数较大，需特别关注。

不同类型电容的温度系数以及温度对电容寿命的影响，将在下一章《电容器分类》专题中具体分析。

写在最后

从电容的概念出发，我们顺着无形的电场“看”到了无处不在的电容，它们寄生在任何两个导体之间：在PCB走线之间、在半导体PN结之间、在云层之间，甚至在我与月球之间。我们只要知道足够的参数（A，d，εr），所有的这些电容都可以建立相应数学模型进行精确的计算，从而去预测其行为。

对于硬件设计来说，电容器对电源完整性的作用非常大，单板大多数电容器都用在了器件的电源滤波上；除此之外，还有信号隔直、开关电源滤波应用等等。除了我们可以直接看到的电容器，那些看不见、摸不着的“电容”更加需要关注，举个栗子：

1. 二极管/三极管的结电容（包括扩散电容）对反向回复时间/开关频率的影响；
2. TVS管的结电容和管脚寄生电容对高速信号（>10Gbps）的影响；
3. 单板电源层与底层之间的平面电容对电源噪声滤波的影响；
4. 等间隔容性负载传输线（DDR/Flash 阵列）中，电容对传输延时的影响；
5. MOS管G极寄生电容对开关速度和MOS管损耗的影响；
6. MOS管Cgd对米勒平台的影响。

本章部分相关内容和图片参考自：克莱顿.R.保罗-《电磁兼容导论》，《硬件十万个为什么论坛》相关文章。下一章《电容器分类》。

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