半导体器件基础02：从PN结到二极管基础（2）

说在开头：关于光电效应（1）

在量子初生的日子里，人们带着一种鸵鸟的心态来使用普朗克的公式，不去追究那公式背后的物理意义，然而在他们头上的那朵小乌云仍然挥散不去，反而越来越浓厚，一副暴风雨欲来的模样。距离那道闪光还有些日子，暂且先让你们掩耳盗铃一段时间。

我们再次回到赫兹当年的那个惊心动魄实验，他在论文里详细的描述了：接收器上的电火花闪出光芒，证实了电磁波的存在；但他同时又发现了一旦光照射到那个缺口上，电火花会出现的更加容易。不幸的是赫兹英年早逝，那年代的物理学要做的事情又太多，所以他并没有深究其中的原因；但是后人在这个方面进行了深入研究：当光照射到金属上时，会从它的表面打出电子来。原本老老实实待在金属表面原子附近的电子，不知道什么原因，被光一照就激动了，纷纷逃了出来。咦，这不就是光电效应嘛。

物理学家们深入的研究了光电效应，马上又知道了两个基本事实：1，对于某种特定金属，光是否能够从它的表面打击出电子，跟光的频率有关，即频率高的光线能够打出能量较高的电子，而频率低的光线则半天也打不出一个电子的P来；2，能否打击出电子，跟光的强度无关，增加光的强度能够做的是，打击出的电子数量更多。但是这又有什么好奇怪的呢？仔细一想：不对啊，这是要人发疯么？我们知道麦克斯韦给光定了性：光是一种波。对于波来说：波的强度决定了波的能量，波的振幅越大则能量越大；如果振幅小的波能量不足以打出电子，那么我提升能量就能打出电子呀。而频率对波来说是啥？就是波的振动频繁的程度而已嘛~ 如果频率高，那就表示振动的比较频繁，按理来说频繁振动的光波应该打击出数量更多的电子。那不是跟实验完全反了啊：光的频率而非强度决定是否能从金属表面打出电子，而光的强度而非频率则决定打出电子的数量。真tm见鬼了，玉皇大帝啊（上帝啊），你在搞什么玩意。

1905年，在瑞士的伯尔尼专利局，24岁的小公务员，留着乱糟糟头发的年轻人，他的眼睛在光电效应的问题上停留了一下，这个人就是阿尔伯特.爱因斯坦。爱因斯坦阅读了普朗克的那些早已被大部分权威和本人冷落的论文，量子化的思想深深的打动了他。他敏锐的觉察到：对光来说，量子化是一种必然的选择。爱因斯坦在他那个叛逆一切的年纪里，并没有被麦克斯韦给吓住；于是从普朗克的量子假设：E = h*v出发进行分析，咦，提高了光的频率，不正是提高单个光量子的能量么？而更高的光量子能量，不是正好能够轰击出能量更高的电子么？另外提升光的强度，不过是增加光量子的数量而已，自然就能轰击出更多的电子啦。爱因斯坦自然而然地跨越了量子理论的第一关：不连续性；而普朗克则一辈子卡在这这道坎上了。组成光能量的这种最小基本单位，爱因斯坦后来把它们称作“光量子”，一直到1926年，美国物理学家刘易斯才将它换成了今天常用的名字“光子”。（参考自：曹天元-上帝掷骰子吗）

二，二极管结构及参数

本节是二极管器件学习的重点：二极管的基本结构和参数；

我们在硬件设计时要选择一个合适的二极管，往往就以这些参数为基础的，而二极管的结构又往往决定了它的特定参数。

1，二极管结构

二极管基本结构是：由一个PN结及所在半导体加上电极引线和封装构成；如下图所示。

1. 阴极/阳极；

2. 外壳；

3. 引线。

继续分析二极管的具体结构，可分为：点接触型，面接触型，硅平面型3种；如下图所示，我们一般在数字电路中使用最多的是硅平面型二极管，而其它两种结构的二极管也有不同的应用场景。

1. 点接触型结构特点：结面积小，所以结电容和允许通过的电流小；适用于高频小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等；

2. 面接触型结构特点：结面积大，所以结电容和允许通过的电流大；适用于低频整流/大电流开关；

3. 硅平面型结构特点：结面积大的适用于大功率整流；结面积小、结电容小的，适用于脉冲数字电路，作为开关管使用。

2，二极管基本参数

二极管最重要的参数莫过于单向导通性，即：只能从二极管的正极（阳极）流入，负极（阴极）流出。单向导通性可分为：

1. 正向特性：正极接在高电位端，负极在低电位端的连接方式称为正向偏置；

1, 正向电压小于Vth：此时二极管正向电压小于PN结内建电场大小，PN结电场被逐渐克服，电流随电压线性增加（小注入）；

——二极管正向电压 < Vth，二极管并非没有电流流过，而是会产生部分电流。

2, 正向电压大于Vth：此时二极管处于正常导通状态，PN结电场被完全削弱，二极管导通压降不变，电流随电压指数增加。

——此时二极管的正向导通，由于电导调制效应（电导调制啥意思诶？忘记了的同学，记得翻回去补一补），进入“大注入”电流状态。

2. 反向特性：正极接在低电位端，负极在高电位端的连接方式称为反向偏置；

1, 反向电压在0V-Ubr范围：此时二极管处于反向截止状态，由于反向电压小，所以反向电流也很小，反向漏电流受温度影响比较大；

——温度每升高10℃，电流增加4倍；反向漏电流取决于半导体中的少子浓度，而少子的浓度取决于温度。

2, 反向电压大于Ubr：此时二极管处于反向击穿状态，由于电压大于反向击穿电压，二极管失去单向导向性，反向电流突然大增（指数级增加）；

3, 反向电压继续增大或则过压时间更长：此时会导致二极管击穿损坏，损坏主要是由于器件过热导致。

现在有个疑问是，在这些状态中 “反向截止区”的电流是如何产生的呢？

1.  “反向截止区”的PN结状态：如下图所示，此时PN结外部加反向电压（P区负，N区正），外加电场与空间电荷区电场叠加，空间电荷区范围变大；

2. 此时由于空间电荷区区域变大，必然会产生更多的电子-空穴对：由于反偏空间电荷区有强大的电场（电子浓度和空穴浓度为0），这些本征激发出来的电子-空穴对一经产生，就被电场扫出了空间电荷区：空穴去P区，自由电子去N区；这部分电荷流动的方向为反偏电流方向，形成反向电流。

3，二极管主要参数

接下来要分析二极管主要参数，体现了二极管在不同应力下的表现；同时这些参数决定了二极管的不同应用场景。

1. 二极管最主要的是通流能力参数，包括了多种不同电流参数，我们需要对这些电流参数进行区分并理解，以匹配实际应力场景；同时在不同温度和作用时间下，电流参数相差也不同，需要根据实际应用情况评估最恶劣条件下的性能：

1, Iƒ(AV)：最大整流电流，二极管长期运行允许最大的正向平均电流值；

（1）电流通过二极管会有功耗，当发热超过结温会导致过热损坏（击穿）；

（2）二极管的散热能力决定了最大整流电流，与PN结面积及散热条件相关。

2, Iƒ：正向直流电流，在额定功率下允许通过的最大直流电流；

3, IƒSM：单次正向峰值电流，允许单次的最大正向脉冲电流（浪涌电流）；

——IƒSM大约为Iƒ的30倍。

4, IƒRM：周期正向峰值电流，允许周期的最大正向脉冲电流；

2. 二极管的正向电压参数同电流参数一样，它不只是一个简单的正向压降的参数，在不同的电压力条件有对应的正向电压参数；

——在不同应用场景下，我们使用到的正向电压参数也不同，需要区分并理解。

1, VF：正向直流电压，最常关注的电压参数，不同正向电流下的导通电压；

2, VFM：正向峰值电压（整流管最大正向压降），二极管在导通之前有一个大于正常导通电压的正向电压；

3, VFRM：最大正向恢复峰值电压，与二极管恢复时间时间相关；

4, Rf：正向导通时电流随电压指数的增加，呈现非线性特性； 在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，所以△V/△I称微分电阻；它体现了二极管在特定电流下的功耗大小。

3. 反向电压力参数，主要体现了二极管的允许最大电压力的能力，跟实际应用场景强相关；

1, VRM：最大反向峰值电压，避免击穿所能加的最大反向电压（脉冲）；

2, VR：最大反向工作电压，正常工作时所能承受的最大反向电压：

（1）一般情况下VR是击穿电压VRM的1/2或2/3（具体根据芯片资料）；

（2）反向工作电压大于VR后，二极管反向电流急剧增大，出现击穿损坏。

3, IR：反向电流，一般为二极管在常温（25℃）和最高反向工作电压作用下，流过的反向电流；反向电流越小，说明单向导电性能越好；

4. 二极管工作频率相关参数，主要取决于二极管结电容的大小，该参数决定了二极管在电路中应用的最高信号频率；

1, ƒM：最高工作频率，二极管工作的上限频率，高于该频率后将不能再工作；ƒM取决于PN结电容的大小，结电容越大，二极管允许的工作频率ƒM越小；

——根据电容特性，我们知道当信号频率越高其阻抗越低，最终会将二极管短路掉。

2, CJ（结电容）：结电容主要是有两部分组成：PN结正偏时的扩散电容和PN结反偏时的势垒电容；两者都是非线性电容，如下图所示；一般二极管资料中标注的结电容主要是指：势垒电容；但如上一章所说，扩散电容远比势垒电容要大；

（1）扩散电容（Cd）： 来自于非平衡少数载流子；随着外加正向电压的变化，“空穴”穿过空间电荷区注入N区内的“空穴”数量也发生变化，同样在P区内的“自由电子”数量也经历了同样的过程；如下图所示，随着外加正向电压的变化，N区内“空穴”和P区内“自由电子”的充放电（ΔQ）过程产生的电容，该电容就称为扩散电容；

（2）如下右图所示，显示了直流电压下的少子浓度与随交流成分改变的少子浓度；随外加交流小电压变化，少子电荷存储量的变化与电压变化量的比值即为扩散电容；扩散电容并不是固定的，它会随二极管电流的变化而变化。

——扩散电容比势垒电容要大3~4个数量级。

（3）势垒电容（Cb）：加反向偏置时，PN结两端电压变化引起积累在中间区域的电荷数量（多数载流子）的改变，呈现电容效应；

3, trr（反向恢复时间）：正向导通时PN结存储电荷耗尽所需要的时间，决定了二极管最高工作频率；

（1）t<0时，二极管接正向电压，正向电流I=(Vf-Va)/Rf，此时存储了很多载流子；

——如下右图所示，由于电流调制效应，多出来的“多数载流子”浓度等于跨越空间电荷区的“少数载流子”。

（2）t=0时，二极管接反向电压，但此时PN结正偏特性不会马上改变；因为此时二极管存储了很多电荷（可以看成存储在扩散电容中的电荷），在电荷放完前，结两端电压不会变反向，此时扩散电容对外建电场放电；

（3）t=ts时，PN区中少数载流子被消耗光，此时PN结的内建电场开始建立，二极管恢复阻断能力；

（4）t>ts后，PN结中间被阻断，还有部分剩余少数载流子没有达到热平衡，会产生复合电流（可以看成对势垒电容的充电操作）；

（5）trr（反向恢复时间）在线路中对功耗的影响：在高频中二极管反向功耗远大于正向功耗；减小trr，可以减小器件功耗，减小失效；

5. 由于二极管正向导通会产生压降，所以二极管正向导通电流越大功耗越大；而且二极管工作在开关切换状态时也会导致更大的功耗；所以热设计相关参数，对于硬件设计来说关系到产品的可靠性；

——不同的封装、PCB散热铜皮大小，热阻系数都对散热有非常大的影响。

1, Rthj-a：结到环境的热阻，如果有散热焊盘，参数受PCB焊盘面积的影响；

2, Rthj-c：结到壳的热阻；

3, Tj：结温，器件内核允许工作的最大温度；

4, Top：二极管工作温度范围，一般在150℃以上；

5, Tstg：二极管存放温度范围；

6, Pd：指二极管参数变化不超过规定允许值时的最大耗散功率；是某一时刻电网元件或者全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。

写在最后

二极管的源于PN结，其所有的参数都可以从PN结理论中推导出来，但显然对实际电路设计应用的帮助并不大。或许很多人还会看的云里雾里：这是啥玩意，这些原理和参数真的有用吗？由于人们的不同应用需求，从而创造出来各种不同的二极管，从而不同类型的二极管关注的参数也不同；接下来我们将根据不同类型的二极管，进行分类讲解。

本章部分相关内容和图片参考自：唐纳德.A.尼曼-《半导体物理与器件》；“硬件十万个为什么论坛”；以及其它网络分享相关文章。下一章《普通二极管》。

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