半导体器件基础03：普通二极管

说在开头：关于光电效应（2）

爱因斯坦推导出了方程：(1/2)*mV² =hv - P；(1/2)*mV²是激发出的电子的最大动能，hv是单个量子的能量，而P是激发出电子需要的最小能量（简称：入场费）。这里的关键就是：电子以量子的形式吸收能量，没有连续性，不能积累；一个光量子对应一个电子。于是大家都懵逼了：光量子？那光到底是啥玩意？已经被按死在地板上摩擦的“粒子”说换了一个方式又卷土重来了。“第三次波粒战争”一触即发。

光量子是一个非常大胆的假设，和传统的电磁波动图像显得格格不入，它直接地向经典物理体系发起了挑战。光量子的处境和当年起义的波动一样，是不为人接受的，如今波动所占据的地位甚至远超越牛顿老爷子光环下的粒子说。而且这场决战已经不局限于光，还关乎整个电磁波的性质问题。所以对于光量子的问题，爱因斯坦也显得非常谨慎，最主要的是当时也没有实验能非常明确地证实光量子的正确性。而一直要到1915年才真正引起人们的注意，而起因是美国人密立根（这家伙在1909年测定了电子精确电荷量：密立根油滴实验，获得了1923年诺贝尔物理学奖）想用实验来证明光量子是错误的。但这位实验物理大师，经过多次反复实验之后，得出了啼笑皆非的结论：自己在很大程度上证实了爱因斯坦方程的正确性。实验数据非常具有说服力的展示了：在所有情况下，光电效应都表现出量子化特征。

1923年，康普顿则带领粒子军团取得了决定性的胜利，康普顿在研究X射线被自由电子散射的时候，发现一个奇怪的现象：散射出来的X射线分成两个部分，一部分和原入射波射线波长相同，而另一部分却比原来的射线波长要更长。如果运动波动理论，散射应该不会改变入射波的波长；要怎么解释多出来的更长波长的射线呢？康普顿苦思冥想，怎么也无法从波动理论中得到合理的解释，真想买块豆腐一头撞死；要不引入光量子的假设看一看？康普顿眼前豁然开朗：那一部分波长变长的射线是因为光子和电子碰撞引起的，光子就像一个小球那样，不仅带有能量还有冲量，当它和电子相撞，便将自己的一部分能量传递给了电子，这样光子的能量下降了，所以波长就变长了。康普顿第一次看到了爱因斯坦的光（康普顿由于发现“康普顿效应”于1927年获得了诺贝尔物理学奖）。

“第三次波粒战争”全面爆发了。而爱因斯坦正是由于1905年关于“光电效应”解释的论文——《关于光的产生和转化的一个启发性观点》，获得了1921年的诺贝尔物理学奖。（参考自：曹天元-上帝掷骰子吗）

一，什么是普通二极管

在“二极管基础”中从我个人的理解出发，分类了二极管的类型：基于PN结的不同特性出发，创造出某些特性突出的二极管，应用于不同的应用场景。

那什么是“普通”呢？很多人都不喜欢自己的“普普通通”，不希望被标上“普通人”的标签，不甘心泯灭于众生当中；我们都有一颗“不普通”的心，而大多数人往往不得不接受自己“普通”的命运。但是换一个角度来看，所有人又不是那么的“普通”， 往小了说：世界上不存在跟你我一模一样的人，你眼中的世界是独特的，我心中的“自我世界”是独一无二的。往大了说：在茫茫宇宙中，在热力学第二定律下，任何生命都是极其“不普通”的存在。所以对于我们来说，重要的是怎么看待这个世界，怎么看待自己，怎么看这一段普通又不普通的生命过程，正如张国荣在《我》这首歌中所自我对白：我就是我，是颜色不一样的花火；我们每个人的这一段生命旅程何尝不是一样。

普通二极管也一样，“普通”只是它的外表；每一种“二极管”都有其独特的存在，每一个“二极管”都有其不同的个性，我们要做的是发现并用好它。

我们再来看一遍PN结的特性，并找出那些普通的二极管：

1. 整流：利用PN结单向导通特性，将交流整流成直流信号；

2. 开关：利用PN结正向低电压导通、反向截止特性，作为开关组成各种逻辑电路；

3. 钳位：利用PN结正向导通后压降基本保持不变，作为钳位元件限制信号幅度；

4. 检波：利用PN结反向恢复时间特性，从输入模拟信号中提取出调制信号；

5. 变容：利用PN结势垒电容大小随空间电荷区距离变化的特性，实现可变电容；

6. 稳压：利用PN结反向齐纳击穿时电压基本保持不变的特性，达到稳压的目的；

7. 防护：利用PN结反向雪崩击穿时电流随电压指数增加的特性，用于浪涌防护；

8. 发光：利用半导体材料中自由电子从能带被捕获到价带（电子-空穴复合）时释放的电势能直接转化成光能的特性，用于制造光源。

对于应用来说，没有“普通”二极管和“非普通”二极管之分。之所以进行区分，是对其工作原理或实际应用差别上的大致区分。

我们本章主要涉及：整流二极管，开关二极管，检波二极管以及变容二极管；这一类二极管器件主要利用PN结的正向导通、反向截止特性。这些二极管器件种类最多，应用最广，将这些二极管放到一起进行比较分析，便于更好的理解。

二，整流二极管

整流二极管（ Rectifier Diode）顾名思义就是主要用于整流功能的二极管， 电流只能从正极流入负极流出；最主要的应用场景就是在电源电路中，所以需要相对较大的通流能力。

1，高压大功率整流二极管

高压大功率整流二极管：主要用于AC-DC大功率电源整流，其PN结面积较大，反向工作电压大，能通过较大正向电流（可达上千安），对反向恢复时间不敏感（用于50Hz~60Hz）；  主要特点有：

1. 正向导通状态：能承受较大的正向电流，较小正向电压降（0.7V）；

2. 反向阻断状态：可承受高反向电压（25V到3000V），流过很小的反向电流（反向漏电流小）；

3. 性能稳定可靠，高温性能好；

4. 结电容较大，不适合应用在高频电路中（几十KHz以下）。

2，高频整流二极管

高频整流二极管具有正向压降低、快速恢复的特点，还应具有足够大的输出功率（正向电流大）；主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器（电机）、变频器（电机）等电子电路中；

主要采用三种类型的整流二极管：

1. 快速恢复整流二极管(Fast Recovery Diode) ：正向电压高于普通二极管（1~2V），反向截止电压较大，反向恢复时间较小（数百ns）；

2. 超快速恢复整流二极管：正向电压降较高，反向截止电压大，反向恢复时间很小（<100ns）；

3. 肖特基整流二极管：正向压降低，反向恢复时间非常小（ns级别），反向截止电压较小（一般几十伏），下一章单独介绍肖特基二极管原理及应用。

3，整流二极管参数

从上述整流二极管的分类描述中，我们已经看到其主要应用场景是：大电流，高电压（除低压开关电源外）；在一些电机应用中，还需要支持高工作频率（低恢复时间）。所以我们整理了整流二极管需主要关注的参数如下：

1. 最大平均整流电流IF：长期工作时允许通过的最大正向平均电流，由PN结的结面积和散热条件决定；

——大电流，说明二极管体积也相对更大；

2. 最高反向工作电压VR：允许施加的最大反向电压；若大于此值则反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿；

——高反向工作电压，说明二极管材料掺杂浓度较低；

3. 最大反向电流IR：在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，反映二极管单向导电性能的好坏；

——反向电流越小越好，反向电流越大，二极管反向损耗越大；

4. 击穿电压VB：二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值；

5. 反向恢复时间trr：在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间；

——反向恢复时间与结电容大小（扩散电容和势垒电容）有关，结电容与电流大小、PN结面积等相关，二极管反向恢复时间参数越大，工作损耗越大；

6. 最高工作频率fm：二极管在正常情况下的最高工作频率；

——最高工作频率与结电容相关，所以二极管最大工作频率与工作电流指标需要做取舍，选择合适工作频率很重要。

具体指标可以自行参考整流二极管器件：IN4007，IN5408。

三，开关二极管

1，开关二极管特点

开关二极管是数字电路中应用非常广泛的二极管，它是指具有开关功能的二极管（当然绝大多数二极管都具有开关功能，只是开关特性上更加突出，开关速度更快），正向施加电压时电流通过 （ON），反向施加电压时电流停止（OFF）的性能；所以具体的来说，开关二极管具有更短的反向恢复时间（trr），优异的开关特性（ns级别）的特点。

开关二极管多用于高频电路：具有开关速度快（结电容小）、体积小（寄生电容小）、寿命长、可靠性高（热耗较少）等特点，主要应用于电子设备的开关电路、检波电路（将高频信号中的低频信号检出）、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。

2，开关二极管类型

根据开关二极管的开关速度快慢以及不同应用需求，可以分为多种不同二极管类型：

1. 普通开关二极管：常用的国产普通开关二极管有2AK系列锗开关二极管；

2. 高速开关二极管：较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快；有2CK、1N和1S系列；

3. 超高速开关二极管：较高速开关二极管更快速，有1SS和RLS系列。

4. 低功耗开关二极管：功耗较低，零偏压电容和反向恢复时间值较高速开关二极管低；有RLS和1SS系列；

5. 高反压开关二极管：高反压开关二极管的反向击穿电压在220V以上，零偏压电容和反向恢复时间值相对较大；有RLS和1SS系列；

——反向击穿电压高压说明二极管体积相对较大，所以结电容相对较大；

6. 硅电压开关二极管：一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。

具体指标可以自行参考开关二极管型号：IN4148，1S2076，2CK100。

四，检波二极管

检波二极管多用于射频电路，是将叠加在高频载波中的低频/音频信号筛选出来的器件，具有较高的检波效率和良好的频率特性；检波二极管一般由锗半导体材料制成（2AP系列，1N34/A、1N60），采用点接触型二极管结构；所以由于接触面小，结电容非常小，频率特性很好，适用于高频小信号，但不能通过大电流；

二极管检波（解调）是从调制波中提取信号分量（包络）；电路与半波整流相同；大多数可用于高频检测的二极管可用于限幅，钳位，开关和调制电路；其特点是：1，正向压降小；2，方向电流小；3，结电容小；4，频率特性好。

举例说明检波电路原理：

1. 调幅波信号是二极管检波电路的输入，只有电压高于0.4V的部分通过二极管；

2. 二极管的输出端连接了一个电容，电容与电阻配合对二极管输出中的高频信号进行低通滤波；

3. 输出信号是输入信号的包络。

五，变容二极管

1，变容二极管特点

变容二极管(Varactor Diodes)，我们从它的名字可以看出是一个二极管，但实现了一个电容的功能，这对于数字硬件工程师来说的确是一种比较奇特的应用。

变容二极管是利用反向偏压来改变PN结电容量（势垒电容）的特殊半导体器件，其相当于一个容量可变的电容器。

那变容二极管还有哪些特点呢？

1. 工作外加条件与稳压二极管/TVS管类似，必须工作在反向电压偏置区；

2. 与稳压二极管/TVS管不同，二极管工作在截止状态，而不是击穿区；

3. 为了增加二极管的PN结电容容量，二极管结构上必须増大了P和N型半导体的面积（面接触/阶梯接触型结构），使反向偏压条件下的容量及变容效果大大增强；

4. PN结电容与反向电压的关系：反向电压越高，结容量越小；反向电压越低，结电容容量越大。

有个问题是：如何理解PN结电容大小与二极管反向电压的关系？

从电容本身的定义出发：电容的容量C = εr*A/d；与介电常数和面积成正比，与距离成反比；那么，加在二极管上的反向电压越大，空间电荷区的距离就越大（d就越大），而介电常数和PN结面积不变，所以PN结电容（势垒电容）大小与外加反向电压成反比。

2，变容二极管参数

变容二极管由于其应用的特殊性（工作在反向截止区），导致需要关注的器件参数也与其它“普通二极管”有很大的不同，接下来我们看下变容二极管的主要参数：

1. 最高反向工作电压VR：允许加在变容二极管两端的最大反向电压值；

——该参数限定了变容二极管的正常工作电压范围；

2. 反向击穿电压VB：变容二极管反向击穿的电压；

——禁止变容二极管的电压达到该电压值；

3. 结电容C：在特定的反偏压下，变容二极管内部PN结的电容；

——变容二极管的主要特性参数，表示变容二极管的基本性能；

4. 结电容变化范围：在工作电压范围内结电容的变化范围；

5. 电容比：结电容变化范围内的最大电容与最小电容之比；

6. Q值：变容二极管的品质因数，反映回路能量的损耗。

如下图所示，变容二极管的电容与掺杂浓度以及频率的变化关系；

1. 掺杂浓度越高，那么在同等其它条件下，空间电荷区的距离越小，所以PN结电容也就越大；

2. 在小于100GHz工作频率下，变容二极管电容容值变化不大；随着频率的继续升高，电容有所减小，这主要取决于半导体材料的介电常数。

写在最后

普通二极管其实并不普通，就算是某一细类的二极管，同样也有各种不同参数，不同厂家，不同型号的器件；怎么能在硬件设计中选到一个合适的二极管？如何才能练就一双“火眼金睛”？取决于你对所设计电路的理解和你对产品需求的把握。

本章部分相关内容和图片参考自： “硬件十万个为什么论坛”相关文章。下一章《稳压二极管和TVS管》。

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