一、H桥驱动
1.1.电路概述
H桥由四个FET晶体管(Q1至Q4)构成,通过控制这些晶体管的开关状态,可以灵活改变电源到负载的电流方向。这种电路常用于需要精确电流控制的场合,特别是高感性负载,它允许能量在负载和接地间安全释放,避免过压损害。
1.2.H桥工作状态
- H桥控制的可能状态,包括电流流向、放电安全路径和短路情况。
Q1 | Q2 | Q3 | Q4 | 负载状态 |
---|---|---|---|---|
打开 | 关闭 | 关闭 | 打开 | 正转,电流从 H 桥流向负载 |
关闭 | 打开 | 打开 | 关闭 | 反转,流入负载的电流方向相反 |
关闭 | 打开 | 关闭 | 打开 | 快速关闭,为负载提供对地放电的安全路径 |
打开 | 关闭 | 打开 | 关闭 | 能量回收,再循环电流存储在负载中 |
打开 | 关闭 | 打开 | 关闭 | 能量回收,再循环电流存储在负载中 |
关闭 | 关闭 | 打开 | 打开 | (需要防灌通)电池到接地之间发生短路 |
打开 | 打开 | 打开 | 打开 | (需要防灌通)电池到接地之间发生短路 |
1.3.电流检测位置与技术
- 高侧检测:适合检测电池短路,但需高压共模放大器。
- 内嵌检测:直接测量电机电流,要求低带宽放大器,但需处理dv/dt信号和PWM稳定时间问题。
- 低侧检测:成本低,共模电压低,但不能检测短路负载。
1.4.H桥电路配置与控制
H桥的控制通常采用PWM技术,通过调整占空比来精确控制流向负载的电流。PWM波形的不同占空比(如10%,50%,90%)决定了输出电流的幅度。为防止直接短路,必须避免同时开启桥臂上的对角FET(如Q1和Q2),以免造成高电流冲击。
1.5.电流检测放大器推荐
- INA240:适用于H桥应用中的任意测量位置,具有低失调电压、低温漂和增益误差,支持实时负载电流测量,提升功率密度。
- INA241:高压双向应用,1MHz带宽,适用于快速响应和精密线内测量。
- INA253/INA254:集成了精密分流器,适合高精度需求,分别适用于±15A和±50A连续电流应用。
- INA281:适用于高侧电流检测,支持负电压摆幅。
- INA381:低成本选项,集成比较器,简化设计,适用于低侧检测。
二、衰减模式
2.1.概览
在电机驱动领域,电流再循环与衰减模式扮演着核心角色,直接影响着电机的效能与动态响应。以下是针对慢速衰减、快速衰减、混合衰减以及智能调优模式的优化概述,旨在提供一个清晰且易于理解的框架。
2.2.慢速衰减模式 (Slow Decay)
- 定义:此模式下,电流以较温和的速率逐渐降至零。
- 实施策略:通过关闭高侧驱动FET并激活相对的低侧FET实现或通过关闭低侧FET并激活高侧驱动FET并实现。
- 特性:
- 电流衰减速率受LR时间常数控制,L为电感量,R为低侧FET导通电阻的两倍。
- 特别适用于直流电机,能形成绕组短路效应,促使转子迅速制动
2.3. 快速衰减模式 (Fast Decay)
- 定义:追求电流以最快的速度归零的模式。
- 执行方法:关闭工作FET,并利用相反的FET或直接经由续流二极管放电。
- 关键点:
- 快速衰减伴随反向电压的施加,电流衰退迅速。- 需引入死区时间防止FET间的直接导通,确保安全转换。
2.4. 混合衰减模式 (Mixed Decay)
- 定义:结合快速与慢速衰减优点,提供中间速率的电流衰减方案。
- 实施细节:
- 精确控制FET的开关时序,交替快速与慢速衰减时段。
- 混合衰减比率,即快速与慢速衰减周期的比例,可根据需求调整。
- 精确控制FET的开关时序,交替快速与慢速衰减时段。
- 应用优势:
- 尤其适用于步进电机和微步进控制,维持期望的电流波形,提升运动平滑度。
- 通过调整衰减比率满足不同应用的电流波动要求。
2.5. 智能调优技术 (Smart Tuning)
- 概念:自动化的电流衰减调整机制,适应电机运行的实时变化。
- 实现途径:
- 动态衰减:根据电机运行状态,自动在不同衰减模式间切换。
- 纹波控制:基于设定的电流纹波标准,动态调整以保持电流稳定。
- 特性:
- 自动补偿因速度、负载、电压、温度等变化带来的影响。
- 减少了手动调校的繁琐,提升了电机性能与系统整体效率。
tips:部分内容待补充,大纲内容如下:
方向控制
-
电感的泄放路径:
-
电机正反转推演:
-
死区时间:
:::