H桥控制特性

---

一、H桥驱动

1.1.电路概述

H桥由四个FET晶体管（Q1至Q4）构成，通过控制这些晶体管的开关状态，可以灵活改变电源到负载的电流方向。这种电路常用于需要精确电流控制的场合，特别是高感性负载，它允许能量在负载和接地间安全释放，避免过压损害。

1.2.H桥工作状态

• H桥控制的可能状态，包括电流流向、放电安全路径和短路情况。

Q1	Q2	Q3	Q4	负载状态
打开	关闭	关闭	打开	正转，电流从 H 桥流向负载
关闭	打开	打开	关闭	反转，流入负载的电流方向相反
关闭	打开	关闭	打开	快速关闭，为负载提供对地放电的安全路径
打开	关闭	打开	关闭	能量回收，再循环电流存储在负载中
打开	关闭	打开	关闭	能量回收，再循环电流存储在负载中
关闭	关闭	打开	打开	（需要防灌通）电池到接地之间发生短路
打开	打开	打开	打开	（需要防灌通）电池到接地之间发生短路

1.3.电流检测位置与技术

• 高侧检测：适合检测电池短路，但需高压共模放大器。
• 内嵌检测：直接测量电机电流，要求低带宽放大器，但需处理dv/dt信号和PWM稳定时间问题。
• 低侧检测：成本低，共模电压低，但不能检测短路负载。

1.4.H桥电路配置与控制

H桥的控制通常采用PWM技术，通过调整占空比来精确控制流向负载的电流。PWM波形的不同占空比（如10%，50%，90%）决定了输出电流的幅度。为防止直接短路，必须避免同时开启桥臂上的对角FET（如Q1和Q2），以免造成高电流冲击。

1.5.电流检测放大器推荐

• INA240：适用于H桥应用中的任意测量位置，具有低失调电压、低温漂和增益误差，支持实时负载电流测量，提升功率密度。
• INA241：高压双向应用，1MHz带宽，适用于快速响应和精密线内测量。
• INA253/INA254：集成了精密分流器，适合高精度需求，分别适用于±15A和±50A连续电流应用。
• INA281：适用于高侧电流检测，支持负电压摆幅。
• INA381：低成本选项，集成比较器，简化设计，适用于低侧检测。

H桥中的电流检测.pdf

二、衰减模式

2.1.概览

在电机驱动领域，电流再循环与衰减模式扮演着核心角色，直接影响着电机的效能与动态响应。以下是针对慢速衰减、快速衰减、混合衰减以及智能调优模式的优化概述，旨在提供一个清晰且易于理解的框架。

2.2.慢速衰减模式 (Slow Decay)

• 定义：此模式下，电流以较温和的速率逐渐降至零。
• 实施策略：通过关闭高侧驱动FET并激活相对的低侧FET实现或通过关闭低侧FET并激活高侧驱动FET并实现。
• 特性：
  • 电流衰减速率受LR时间常数控制，L为电感量，R为低侧FET导通电阻的两倍。
  • 特别适用于直流电机，能形成绕组短路效应，促使转子迅速制动
• 
• 

2.3. 快速衰减模式 (Fast Decay)

• 定义：追求电流以最快的速度归零的模式。
• 执行方法：关闭工作FET，并利用相反的FET或直接经由续流二极管放电。
• 关键点：
  - 快速衰减伴随反向电压的施加，电流衰退迅速。
  • 需引入死区时间防止FET间的直接导通，确保安全转换。

2.4. 混合衰减模式 (Mixed Decay)

• 定义：结合快速与慢速衰减优点，提供中间速率的电流衰减方案。
• 实施细节：
  • 精确控制FET的开关时序，交替快速与慢速衰减时段。
    - 混合衰减比率，即快速与慢速衰减周期的比例，可根据需求调整。
• 应用优势：
  • 尤其适用于步进电机和微步进控制，维持期望的电流波形，提升运动平滑度。
  • 通过调整衰减比率满足不同应用的电流波动要求。

2.5. 智能调优技术 (Smart Tuning)

- 概念：自动化的电流衰减调整机制，适应电机运行的实时变化。

• 实现途径：
  • 动态衰减：根据电机运行状态，自动在不同衰减模式间切换。
  • 纹波控制：基于设定的电流纹波标准，动态调整以保持电流稳定。
• 特性：
  • 自动补偿因速度、负载、电压、温度等变化带来的影响。
  • 减少了手动调校的繁琐，提升了电机性能与系统整体效率。

tips：部分内容待补充，大纲内容如下：

方向控制

1. 电感的泄放路径：

2. 电机正反转推演：

3. 死区时间：

电流再循环和衰减模式.pdfH桥驱动器.pdf

:::