硬件的相关小知识

降压电路

选择场景：

低压差 说明 适用于压降比较低的场合 

线性：LDO内部的MOS管工作于线性电阻

稳压器：给电源稳压的

LDO选型：

1.输入电压

2.输出电压（LDO分 输出可调和不可调两款）

3.输出电流（根据使用场景确定负载负载电流，确保LDO芯片能提供足够的电流以满足负载的要求  可以去手册上查找MCU所需要的电流是多少）

4.线性调整率和负载调整率

线性调整率：  LDO芯片 在输入电压 变化时  输出电压的变化率。

负载调整率： LDO芯片 在负载电流变化时 输出电压的变化率（较低的调整率 意味着更好的稳定性）

5.Dropout电压（较小的这个 意味着 LDO能在电压差越小的环境下 使用）

Dropout电压：LDO芯片 能 正常工作的 最小的 输入输出 的 电压差

6.效率

7.温度范围（LDO是发热比较高的器件   温度建议只能到85%）

8.保护功能

 典型电路

根据典型电路的计算公式 算出 R1 R2的电阻 选择 （典型电路只供参考 其实在实际应用中 输入 输出端 都还要加上 储能电容和去耦电容  目的：提供能量 去除噪音）

DC-DC BUCK电路

我们选择  f=100k

当MOS管导通时 电感上的电流会一直增加 当增大到10ma时 关闭MOS管 此时电感上的电流不会突变 此时输出电压为Vout1=10V 如果想升压到20V 只需要将开通时间增长。

        如何选电感

双向DC-DC电源设计

电压跟随器

第三个 加了电压跟随器  （省略了 电压跟随器的 独立电源和地） 发现这个点的电压是不会跟随着右边负载所影响的。 图二就会被影响。 

这个里面 左边 利用电压跟随器  产生参考电压 右边 通过参考电压进行放大

去耦和旁路电容

电容特性： 通交隔直 防止电压突变

什么是耦合：coupling 也就是CP  一对及以上相互影响

因为芯片内部复杂 因此增加去耦电容 作用时 储能和滤波

旁路：bypass 抄小路的意思 输入端的干扰 增加旁路电容 来滤除交流干扰。

推挽输出和开漏输出（建议看看江科大）  SPI I2C电路都是开漏输出 可以多参考一下

自举电路（可以选择集成芯片来替代 也可以选择分立器件来实现）（没搞懂 以后再说）