ddr术语小结

 {术语

 芯片位宽：每个传输周期的数据量。

逻辑Bank：由行和列组成，只要指定行和列接可以找到存储单元。

RAS：Row Address Strobe 行地址选通脉冲。

CAS：Column Address Strobe 列地址选通脉冲。

DQ：Data Input/Output 数据I/O通道。

DQS：Data Strobe 与数据同步出现，数据在DQS的上升沿和下降沿出现。（与DQS_N配合使用）

DM: Input Data Mask 用于屏蔽无效的写入数据。低电平写入有效、高电平写入无效

BL：Burst Length 突发长度，

RCD:RAS to CAS Delay, 行选通到读写命令的延时，决定了行寻址和读写命令的间隔。

CL: CAS Latency, 读出命令到数据真正输出的时延。DDR的CL值一般为2、2.5和3. DDR2的CL值一般为2、3、4、5和6 DDR3的CL一般为5到16

CWL：CAS Write Latency 写入命令到数据总线输入的延时

AL: Additive Latency, 附加时延。DDR3标准中，AL可设置为0、CL-1、CL-2。

引入AL的目的在于提高总线的效率。RAS后，可以立即CAS读命令。但是需要保持AL个周期。

DDR2 SDRAM： Double Data Rate 2 SDRAM    它与上一代DDR SDRAM最大的不同就是，

   虽然同是采用了在时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输的方式，DDR2拥有两倍于DDR的预读取能力（4bit预读取）。

   DDR2每个时钟周期能以4倍外部总线的速度读写数据。

DDR3采用了8bit预读取设计，这样SDRAM内核的频率只有接口频率的1/8,例如DDR3-800的核心工作频率只有100MHz

   工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V

ACTIVE：激活指定Bank和行，在READ和WRITE命令前

PRECHARGE：读写完成后，对同一Bank中另一行操作前，需要关闭现在的工作行，才能打开新一行。该过程就是预充电，通过PRECHARGE命令控制。

REFRESH：刷新，SDRAM的存储体是电容，如果长时间没有对电容充电会导致数据丢失，通过定期刷新，对数据进行重写，保证数据不丢失。

效率

    RP： 预充电的命令周期，即预充电命令经过RP时间后才允许对新行操作，决定了对同一Bank不同行之间的操作速度。

   RFC：刷新时间间隔。

   RAS：同一Bank中行激活到预充电（关闭行）命令的时间间隔

   RRD：同一Bank中不同行激活的间隔。

    WR： Write Recovery 写恢复时间，数据从数据总线DQ真正写到SDRAM中的时间。

 }

 // initial

 {

每次SDRAM上电后必须进行初始化操作。

1, Power-up期间，保持CKE为低，DQ和DQS输出保持高阻态。

2, 等到power supply和clk稳定后，SDRAM需要等待200us后才能执行NOP命令，同时将CKE拉高。

3, NOP命令后需要对所有的Bank进行预充电（PRECHARGE ALL命令）

4, 然后MODE REGISTERSET命令使能DLL, MODE REGISTERSET命令reset DLL,。

5, DLL复位需要等待200个时钟周期，然后对所有Bank进行预充电操作,两个自刷新操作后， MODE REGISTERSET命令复位撤离。

 }

 //read write

 {正常读写操作过程如下：

1, 行选通。在对SDRAM读写前，使用ACTIVE命令打开指定Bank的行，此时行选通信号RAS、片选信号CS、Bank地址、Row地址有效。

2, 列选通。列地址选通和读写命令是同时给出的。行列地址共用地址线。此时列选通信号CAS、片选信号CS、Bank地址、Column地址、WE信号有效。读命令出现后的CAS Lstency（CL）时间后数据出现。写命令 在经过DQSS时间后数据出现。

3, 一次读写完成后，对同一Bank的不同行操作时，需要关闭当前行。使用PRECHARGE命令。A10控制着是否进行在读写之后对当前Bank自动进行预充电。

读取数据时的几种情况：

1.寻址Bank的所有行都是关闭的，此时直接发送行寻址和列寻址命令，数据读取前的总耗时为tRCD+CL。这种情况称为页命中（PH，Page Hit）。

2.寻址的行正好是前一个操作的工作行，即寻址行已经处于选通状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时为CL。

这种情况称为页快速命中（PFH，Page Fast Hit）或者页直接命中（PDH，Page Direct Hit）。

寻址行所在Bank中已经有一行处于活动状态，这种情况称为寻址冲突，此时必须要进行预充电来关闭工作行，再对寻址行发送行寻址和列寻址命令。

此时读取数据总耗时为tRP+tRCD+CL，这种情况称为页错失（PM，Page Miss）。

显然，PFH是最理想的寻址情况，PM则是最糟糕的寻址情况。 

}

//fresh

{

刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）两者都不需要外部行地址信息，因为是内部的自动操作。 

1, 由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说CAS在RAS之前有效。所以，AR又称CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。

2, SR则主要用于休眠下的数据保存，在AR命令时，将CKE置于无效状态，就进入了SR模式，此时不再依靠系统时钟，而是根据内部时钟进行刷新操作。

在SR期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。

}

//low power

{

1, 在CKE为低的情况下，SDRAM进入Power-down模式

2, 如果power-down发生在所有Bank处于idle状态，这时的Power-down模式称为Precharge Power Down。

3, 如果power-down发生在某一个Bank的ACTIVE状态，这时的Power-down模式称为Active Power Down。

4, 在power-down模式为了节省功耗可以先disable DLL，退出power-down模式后需使能DLL。

}

//ddr2 feature

{

1, 前置CAS（Posted CAS）是为了解决DDR内存中指令冲突而设计的功能。它允许CAS信号紧随RAS发送，相对于以往的DDR等于将CAS前置了。这样，地址线可以立刻空出来，便于后面的行有效命令发出，避免造成命令冲突而被迫延后的情况发生。

在这种情况下，读/写操作实际并没有因此提前，让要保证有足够的延迟/潜伏期，为此DDR2引入了附加潜伏期的概念（AL， Additive Latency ）。

AL+CL为读取的潜伏期（RL，Read Latency）

写入潜伏期为WL= RL-1，即AL+CL-1。 （WL，Write Latency）

OCD（Off-Chip Driver）：离线驱动调整

DDR2通过OCD减少DQ-DQS的倾斜来提高信号完整性

ODT（On Die Termination）是内建核心的终结电阻器，防止数据线终端反射信号。

}

//lpddr feature

{

Deep  Power-Down（DPD）模式

在此模式下，LPDDR SDRAM内部所有的电压都将关断，并且所有的memory数据将会丢失。所有在Mode Register和Extended Mode Register的信息都会丢失。

进入Deep  Power-Down模式时，除了要将CKE信号拉低还要使用BURST TERMINATE命令。

在退出DPD模式时，CKE信号必须要等到clk稳定后才拉高，NOP命令需要持续200us。在200us后将进行一个完整的初始化操作序列。

Clock stop模式

在LPDDR空闲的周期内关断时钟能够有效的减少功耗。

LPDDR在下面的情况下支持clock stop

1. the last command (ACTIVE, READ, WRITE, PRECHARGE, AUTO REFRESH or MODE REGISTER SET)has executed to completion.

2. the related timing conditions (tRCD, tWR, tRP, tRFC, tMRD) has been met;

3. CKE is held High

上述情况都满足的下，才会进入clock stop模式

重新开启时钟将会退出clock stop模式。

}

//LPDDR与DDR1/2的区别

{

1.为了省功耗，LPDDR省去了DLL，DDR1/2都有DLL。

2.LPDDR支持Deep power-down模式， DDR1/2不支持。

3.LPDDR支持Clock stop模式， DDR1/2不支持。

4. LPDDR的SUPPLY VOLTAGE为1.8V，DDR为2.5V，DDR2为1.8V。

5.由于没有DLL，所以LPDDR和DDR1/2初始化过程是不一样的

6.LPDDR支持PASR(Partial Array Self Refresh) 自刷新方式，DDR不支持，DDR2支持。

7. LPDDR支持TCSR(temperature-compensated self refresh) 自刷新模式， DDR1/2不支持。

}