EOS 与ESD 区别

ESD:

英文：Electrical Static Discharge；

定义：不同静电电位的两个物体之间的电荷转移；中文释为静电放电。静电是一种客观的自然现象；

EOS：

英文：Electrical Over Stress

定义：指所有的过度电性应力，如过电烧毁 （过电压，过电流 ，过功率）；

EOS通常产生于：

1. 电源(AC/DC) 干扰、过电压。

2. 由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰。其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒），很短的EOS 脉冲导致的损坏与ESD损坏相似。

3. 闪电。

4. 测试程序开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰。

5. 测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。再比如在对器件供电之前加入测试信号，或超过最大操作条件。

6. 来自其它设备的脉冲信号干扰，即从其它装置发送的脉冲。

7. 不恰当的工作步骤，工作流程不甚合理。

8. 接地点反跳（由于接地点不够导致电流快速转换引起高电压）

9. EOS的产生有多种情况，包括电源不稳定引起的电涌，热插拔引起的瞬态浪涌电流，雷击产生的瞬态感应电流以及测试过程中接线错误……

ESD产生的方式:

1. 如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点；

2. 人体自身的动作或与其它物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电；

3. 摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害；

防护手段：

1. 生产过程中静电防护的主要措施为静电泄露、耗散、中和、增湿，屏蔽与接地；

2. 人体静电防护系统主要有防静电手腕带，脚腕带，工作服、鞋袜、帽、手套或指套等组成，具有静电泄露，中和与屏蔽等功能。

失效分析:

ESD一般在IC的某个端口，有的损伤比较明显；

1. 开封后在金相下很明显的看出损伤痕迹，比如在保护网络电力部分；

2. 有的需要借助SEM的二次电子去确定，因为电子累积的关系可以看见损伤点；其实比较难分析的是在光学和电子显微镜下都看不到的损伤，如果没有OBIRCH等仪器，可以借助液晶检测来判断损伤点位置，当在液晶下定位到失效区域后，可以选择去掉钝化层和部分金属层来定位到底下的ESD损伤点。

使用设备：光学显微镜、电子显微镜、OBIRCH、液晶检测等；

EOS的碳化面积较大：

一般过功率烧毁会出现原始损伤点且由这点有向四周辐射的裂纹，过电压损伤一般在有源区的边缘位置，多发生在电源引脚上。

         ESD 烧坏图示

ESD

·失效集中在小区域；

·一般不会造成多个元件损伤；

·损伤现象在相同芯片中出现是随机的。

·若损伤集中于一点，范围通常较小；

·可见性不强，损坏位置不易发现；

·通常导致电晶体级别的损坏。

EOS

·大片区域的失效；

·短的EOS脉冲损坏看起来像ESD损坏；

·可扩散成大片熔化区域，导致多层损伤，且可能会有多种损伤同时发生；

·损坏现象较明显，包括金属线熔化、发热、高功率、闩锁效应，甚至造成产品塑封体损伤，如塑封树脂炭化；

1）EOS：Electrical Over Stress电性过应力是指当外界电流或电压超过器件的最大规范条件时，器件性能会减弱甚至损坏。其特点：

√ 现象：高压或者大电流导致芯片内部损坏，发热，从而伴随着外部烧糊的现象。
√ 产生原因：感应、累计浪涌等。
√ 特点：时间长（us级），电压跟电流视情况而定。
√ 测试规范与方法：IEC61000-4-5，EOS tester（surge generator）。

2）ESD：Electron Static Discharge 静电放电是指电荷从一个物体转移到另一个物体，是一种客观的自然现象。其特点：

√ 现象：有限的大量的电荷在不同电位体之间快速转移的一种放电现象。
√ 产生原因：摩擦、接触、耦合感应等。
√ 特点：时间短（ns级）、电压高（kv）、电流大（A）。
√ 测试规范与方法：IEC61000-4-2，ESD GUN。

参考：

1. 1.https://wenku.baidu.com/view/89ab50c6bb4cf7ec4afed09e.html

2. 2.https://zhuanlan.zhihu.com/p/37906538

3. 3.https://wenku.baidu.com/view/c688022e89eb172dec63b789.html