PMOS的电流方向以及工作区理解

Alex-YiWang

已于 2022-07-01 11:02:11 修改

阅读量3.3w

点赞数 49

CC 4.0 BY-SA版权

分类专栏：模拟大规模集成电路文章标签： fpga开发模拟电路集成电路拉扎维

于 2021-10-07 10:37:12 首次发布

本BLOG上原创文章以及代码未经本人许可，不得用于商业用途。转载请注明出处，否则保留追究法律责任的权利。

本文链接：https://blog.csdn.net/alex497259/article/details/124123114

1 篇文章

订阅专栏

本文深入探讨了拉扎维书籍中关于PMOS的不足，对比分析了NMOS和PMOS的电流公式，揭示了负号的来源，并介绍了判断工作区的方法。通过实例解析，帮助读者掌握两者电流特性的区别。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

在拉扎维一书中，在第二章感觉对PMOS的讨论内容比较少，导致一些细节问题上没能太理解，有必要再进一步讨论一下，也当作一个简单的对比总结。

首先讨论电流的参考方向，从结论直观来看电流的参考方向定义为箭头的方向(即对于两种管子，电流的正方向都是从D到S)。

那么为什么两者的电流公式会有一个负号呢？(拉扎维式2.15和拉扎维式2.16)

对于NMOS，其沟道中的载流子为电子；对于PMOS，其沟道的载流子为空穴，这就造成了二者电流方向的必然不同。

虽然这个载流子的迁移率是影响电流大小的关键数据，它的值是不带有方向的(迁移率是恒正的)，负号的产生与他无关。

NMOS饱和区电流公式：

$I_{Dnmos}=\frac{1}{2}\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{THn})^2$

NMOS线性区电流公式：

$I_{Dnmos}=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{THn})V_{DS}-\frac{1}{2}V^2_{DS}]$

PMOS饱和区电流公式：

$I_{Dpmos}=\frac{1}{2}\mu_pC_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{THp})^2$

PMOS线性区电流公式：

$I_{Dpmos}=\mu_pC_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{THp})V_{DS}-\frac{1}{2}V^2_{DS}]$

首先观察NMOS表达式，可以发现 $I_{Dnmos}$ 参考方向与表达式中 $V_{GS}$ 、 $V_{DS}$ 、 $V_{THn}$ 的参考方向是相同的，即表达式算出来的值即为NMOS在参考方向上的电流大小。

而对于PMOS的表达式来说，尽管它的 $V_{DS}$ 、 $V_{GS}$ 、 $V_{THp}$ 在正常情况下值是负的，如果载流子相同， $I_{Dpmos}$ 的参考方向必然是与他们一致的。但是由于载流子不同，才导致了 $I_{Dpmos}$ 的表达式中存在负号。

同样的，如果PMOS表达式中使用的是 $V_{SD}$ 、 $V_{SG}$ 以及正值的 $V_{THp}$ ，则对应 $I_{Dpmos}$ 的参考方向为从S流向D的方向。

如何对NMOS和PMOS的工作区域进行判断呢？

这个问题有两种方法：

方法一，就是分别进行讨论，注意PMOS中的值都是负数：

方法二，利用绝对值进行判断：

工作区	NMOS/PMOS
截止区	$\mid V_{GS} \mid< \mid V_{TH}\mid$
线性区	$\mid V_{DS} \mid < \mid V_{GS}\mid-\mid V_{TH}\mid$
饱和区	$\mid V_{DS} \mid > \mid V_{GS}\mid-\mid V_{TH}\mid$

这就是本期的全部内容啦，如果你喜欢我的文章，不要忘了点赞收藏，分享给身边的朋友哇~