如何理解CMOS反相器充放电过程中的损耗和充放电？

针对这一问题，我认为应该给出这样的解释，如下图所示：

需要明确的是，在忽略MOS管亚阈值电流以及其内部电容的情况下，应该视为当栅极电压低于阈值电压时，MOS管的开断是瞬时完成的。所提到的CMOS反相器的充电、放电都是基于负载电容CL来说的。

首先分析当输入In从1→0的过程，对应的时间即为$t_{pHL}$($t_{pLH}$定义为输出out的从低电平到高电平的时间)

此时，out从0→1，NMOS管是断开状态，PMOS管是导通状态，相当于是在下图通路中对电容进行了充电。

因此也比较好理解为什么$t_{pLH}$的公式为：

其次分析当输入In从0→1的过程，对应的时间即为$t_{pHL}$($t_{pHL}$定义为输出out的从高电平到低电平的时间)

此时，out从1→0，PMOS管是断开状态，NMOS管是导通状态，相当于是在这一通路中对电容进行了放电。