硬件学习笔记---“唐老师讲电赛”（五）元器件选型之三极管、MOS管

元器件选型之三极管

 1.单管共射放大电路的动态特性

   

2.三极管的开关作用

3.常用三极管

 元器件选型之MOS管

分为PMOS和NMOS

1.判断三个脚：

先判断栅极（G），有交叉的是源极（S）、另一边为漏极（D）；

箭头背向G为P沟道，反之为N沟道。

                                          

寄生二极管 / 体二极管（MOS管自带的）的方向判断：

它的判断规则就是: N沟道，由S极指向D极;  P沟道，由D极指向S极。

 2.MOS管有三大作用

开关作用；隔离作用；可调电阻R——高低电平信号切换

通过控制栅极电压控制MOS管的开关——电压通断

（1） 看过前面的例子，你能总结出“MOS管用做开关时在电路中的连接方法”吗?
其实关键就是:确定哪一个极连接输入端,哪个极连接输出端。
N MOS:   控制极电平为“1V”时MOS管导通(饱和导通)；控制极电平为“ 0V”时MOS管截止。
P MOS：VG=0导通，VG=1截止

寄生二极管方向是关键

（2）隔离作用——防反接

①  二极管最好是肖特基二极管，压降较小

    

 ②  PMOS管

PMOS可双向导通，看哪边电压大

 （3）NMOS——开关

用单片机控制开/关

 3.NMOS的参数

（1）VDSS最大漏-源电压
在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的（2）VGS最大栅源电压
VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
（3）ID-连续漏电流
ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25°C或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
（4）VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件(漏极电流，漏源电压，结温)也是有规格的。正常情况下，所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此，VGS(th)的变化范围是规定好的。VGS(th)是负温度系数当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。
（5）RDS(on):导通电阻
RDS(on)是指在特定的漏电流(通常为ID电流的--半)、栅源电压和25°C的情况下测得的漏-源电阻。