7价 半导体掺杂_关于金属、半金属以及半导体的电导率

本节作为一个记录：

上图为金属、半金属以及半导体电导率随温度变化曲线

解释：

金属电阻随温度升高而增大原因：

微观来讲，金属导电的机制为 自由电子的自由移动，当温度升高后，电子开始在平衡位置振动，振动的幅度必然随着温度的升高而变大，这也就一定程度的对内部自由移动的电子起到了阻碍的作用，宏观来讲就会电阻随温度升高而增大了

在金属导体里， 原子的最外层电子（价电子）受原子的束缚较松，容易脱离原子， 形成在金属中自由移动的电子。这种自由电子的运动，从总体看来，类似于气体中的分子运动，即可以在一定的条件下把自由电子看作如同电子气，在一定温度下在金属中杂乱地向各方向运动。原子中除价电子外的其余部分叫原子实。在固态金属中原子实排列成整齐的点阵，称为晶体点阵。自由电子在晶体点阵间跑来跑去，并不时地彼此碰撞或与点阵上的原子实碰撞，这就是金属微观结构的经典图象。 由于自由电子的热运动是杂乱无章的，在没有外电场或其他原因（如电子浓度或温度不均匀）的情况下，它们沿任何方向运动的机会相同，因此电子的不规则热运动不会引起电荷沿某一方向的迁移，所以也 不会引起电流。 若在金属导体上加了电场，每个自由电子就将逆着电场方向发生“漂移”，这时可以认为自由电子的总速度是由它的热运动速度和 因电场产生的附加定向速度两部分组成，前者的平均速度仍为零，后者的平均速度叫做 漂移速度。正是 这种宏观上的定向漂移运动形成了宏观的电流。 ^[1]

对于半金属电阻随温度升高先降低在升高的原因：

半金属中，费米面能级Ef上的电子不多，在升温的时候，电子会开始受激跃迁到了费米面上，由于电子走了，那么留下来了空穴，温度越高，空穴越多，电阻越小（或者可以理解成，由于半金属的导带价带之间的带隙小，容易跃迁，温度升高，电子从价带跃迁到导带上，产生空穴）；当温度升高到一定程度时，费米面上的电子数量足够了，Ef一下的电子难以激发到费米面上去，这时候半金属中的电子运动对于导电性起到主导作用，但由于温度升高，晶格振动，电子的振动，也会阻碍自由电子的运动，因此温度越高，电阻越高，类似金属。

半导体随温度升高先下降，升高吗之后？

理由类似半金属，价带电子跃迁到导带，一定程度不能跃迁，后续不确定~

另解释：^[2]

N型，原本四价的硅，纯硅满价态，不导电，掺杂五价元素，多一个电子，不老实，去挤占别的电子的地方，这个电子出来之后继续挤占别的地方，形成电流

P型，四价硅掺杂三价元素，存在空穴，其他电子来填补，又形成空穴，形成电流

横轴态密度，纵轴能量 前两者Ef都在价(导)带中 from wiki

参考

1. ^1 https://old.pep.com.cn/czwl/jszx/tbjx/jc/jc8s/jc8s5/201008/t20100824_717348.htm
2. ^2 http://blog.sciencenet.cn/blog-73066-1132818.html