集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大
在网上闲逛,见过多次这样的问题了,基本上都是问:
放大时,发射结正偏、集电结反偏。但是,集电结反偏,这不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
翻了几本书,确实,书上都没有仔细介绍反偏、截止的工作过程。
下面,做而论道简单说说这个问题。
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PN 结,是在 P 型半导体(带有大量的正电荷)和 N 型半导体(带有大量的负电荷)的交界处,所出现的一个特殊区域。在 PN 结中,P 区扩散过来的正电荷(空穴),与 N 区扩散过来的负电荷(电子),就复合在一起了,两者都失去了活动能力。所以,这个区域(PN 结)又被称为:耗尽层、阻挡层、空间电荷区。
由于 PN 结中的多数载流子扩散到对方,在 PN 结中的 P 区,失去了空穴,多了电子,所以就呈现出带负电的状态;而在 N 区,由对方扩散来了大量空穴,又缺少了电子,所以就呈现出带正电的状态。这两种状态,就形成了一个电位差,称为势垒。
这个势垒电压,会阻止多数载流子的继续扩散。另外,由于势垒电压的存在,在 PN 结中的少数载流子,将向对方进行漂移。多数载流子扩散、少数载流子漂移,方向是相反的,大小也相等。所以在此时,在 PN 结中,没有电流流动。此时的 PN 结,可视为一块绝缘体。此时的 PN 结,可见下图中的左图。(图中,仅仅标记了多数载流子的分布,少数载流子,就自己想像一下吧。)
如果在 P 区、N 区两端,外接一个电压,就会对 PN 结的体积大小,产生影响。
当在 P 区接入正电压、N 区接入负电压时(见上图中的中图),这个外接的电压,与势垒电压的方向是相反的,它将抵消一部分势垒电压,使得空间电荷区变窄。并且,外接的电源将给 P 区源源不断的提供正电荷,同时,也给 N 区提供负电荷。因此,就在 PN 结中形成了【由多数载流子扩散形成的电流】,简称为【扩散电流】。这种情况,就称为 PN 结正偏、PN 结正向导通。
当在 P 区接入负电压、N 区接入正电压时(见上图中的右图),这个外接的电压,与势垒电压的方向是相同的,它将使空间电荷区变宽。在 P 区 N 区之间,形成了一大块绝缘体。此时,就称为 PN 结反偏、PN 结反向截止。
但是,反偏或反向截止时,PN 结中就没有电流了吗? 回答是:否。
在半导体材料中,不仅有多数载流子,还有少数载流子。在反偏时,少数载流子,将会畅快的流动,形成【由少数载流子形成的电流】,也称为【漂移电流】。当然,因为少数载流子数目极少,这个电流,就很小很小,一般就忽略不计了。因此,才说是:反偏截止。由少数载流子形成的微弱电流,可在上右图中看到。
但是,如果有很多很多的少数载流子呢? 这个电流,将会很强!
这就是三极管放大的理论基础之一。但是,教材中,对这个反偏的电流,强调的不够!
书上的毛病,就出在这儿。
各本书,在讲解 PN 结反偏的时候,都是不厌其烦的强调:由少数载流子导电、反向电流很小、可忽略、反偏截止、PN 结具有单向导电性、... 。
这就误导了大量的学生,在学生的印象中,就牢牢记住了:PN 结反偏,就不导电。
其实,当 PN 结反偏的时候,如果有大量的少数载流子,漂移所形成的反向电流,也是会很强的。三极管的放大状态,就是利用了这个原理。忽略了反向电流,就讲不清楚如何放大了。
下面再简述一下三极管的放大过程。
对于 NPN 型的硅材料三极管,通常可认为发射极接地,基极的电压,应设为 0.7V。
此时,发射结就是正偏,电流 Ib 由基极流向发射极。
这个基极电流,主要是由发射区 ( N 型,自由电子极多 ) 向基区扩散的电子构成的。
大量的电子到了基区 ( P 型,其中空穴的浓度不高,而且很薄 ),会怎么样呢?
这些电子,只有很少的,有机会与基区的空穴复合,形成了 Ib;
其它的电子,就在基区中游荡,成了 P 区中大量的少数载流子 !
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三极管处于放大状态时,集电结是反偏的。
反偏时,是由少数载流子来导电,而此时的基区中,恰好有大量的少数载流子。
那么,反偏的集电结,出现一个很大的电流 Ic,就一点也不奇怪了。
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由于三极管制作工艺的特点,基区复合的电流 Ib,和集电极反偏的电流 Ic,存在一个比例关系,即:
Ic = /β1 * Ib, /β 是 β 上面加一横。
其中 /β 为直流电流放大倍数:/β = Ic / Ib。
另外还有,交流电流放大倍数:β= △Ic / △Ib
/β 和 β,两者的数值相近,可以互相代用。
除此之外,关于三极管的公式还有:
Ie = Ib + Ic = (1 + β) Ib
Uce = Ec - Rc * Ic
这些公式意义和用法,学过电子线路的同学,都知道吧?
--本文完--