放大电路为什么要保证“发射结正偏，集电结反偏”？集电极和发射极电流等比例变化（放大）的本质原因是什么？

这是放大电路这一章最重要的图：

• 我不学课本那样，先一个个跟你讲每一条电流是怎么来的，每一极的电流又等于什么+什么。
• 咱先来感性认识（不讲公式），等你懂了之后咱再来理性分析。

零、写在开始之前

回答一个你们没问的问题：
不知道你有没有跟我一样学了很久模电还是不知道这三个电极为什么叫这个名字，发、集、基，这三个名字中甚至有两个读起来很像傻傻分不清楚。最最恶心的还要搭配结、极，这就有六个名词了。
这种最基础概念的模糊我觉得是彻底听不懂这门课的第一步，虽然我只要记住这个名字就行了别的先不用管，但学其它东西的时候需要频繁在这三个名词之间切换，甚至有些概念就是在它们基础之上的，搞不懂就很难受了。
交大的郑益慧老师讲得实在太好了，发射极为什么叫“发射”？因为他高掺杂，电路的电主要由他提供，由集电极收集，所以它叫“集电”。这些称呼对应了晶闸管的“源极”和“漏极”，源极提供电路所需要的电子或空穴，而漏极负责把它drain出去，排出去，漏出去。而栅极和基极都是控制极，栅极，就好像负责架设一个篱笆，负责你电流是否允许被通过。

一、感性认识这张共射放大电路图

1. 电子/空穴层面的解释，什么是“抽”，什么是“涌”？

（
涌这个词有自发运动的意思在里面，而抽是受某种力而迫使的。
读完你会得到结论，涌是因为发射结正偏，进而使得扩散运动加剧导致的，扩散！难道不是涌吗？大坝被削矮了，难道水不要一股脑涌下来吗？！而抽就更形象了，集电结反偏加强了内电场，电场力可以更好的把电子抽到集电极！
）

三极管工作在放大状态一定要发射结正偏，集电结反偏，而且是无论共射还是共基共集放大电路，也无论是PNP还是NPN晶体管，都要满足发射结正偏，集电结反偏。

问题

• 什么是发射结正偏集电结反偏？
  - 正偏是电源正极接P，负接N；反偏是负接P，正接N；
  - 说明b点电压要高于e点，这样电压方向才能使从b指向e；
  - 说明b点电压要低于c点，这样电压方向才能使从c指向b；
• 为什么要这样加电压？
  -因为这样加电压才能使三极管导通
• 为什么这样加电压能使三极管导通？
  -这样
  1.使得高掺杂的发射结的电子涌向基极，
  2.基极等待的电子被抽向集电极（以上是针对如图NPN管，发射结的多子是电子，PNP管多子就是空穴了）这里涌的动作是发射结正偏电压所引起的，而抽的动作是集电结反偏电压引起的。
• 为什么这样能使得高掺杂区电子涌？又能在集电结附近发生抽？
  - 回答这个问题就要了解在不加任何电压的情况下三极管内部的电场是怎么样的，电子的分布情况又是怎么样的；
  - PN节的内电场是由N指向P的，上图，我画的红线都是本身PN节的内电场；
  - 加了正偏电压，会使得发射结的电场变弱，图中就是发射结的箭头变短了。
  - 电场改变当然会引起电子流动的改变，PN结的动态平衡被打破了，电场变弱会使得电子扩散运动增强，这里很反直觉的，电子沿着电场线方向运动了！，这是因为 自由扩散的程度 要比受电场力作用的 漂移运动程度 更剧烈 ；
  - 这也是为什么发射结正偏电压会使得发射极的电子涌向基极。
• 在集电结加反偏电压，这会加强内部电场，也就是电场方向向下加剧，刚来到基极的电子逆着电场方向运动，流向集电极。这也是由于基极做的很薄导致的，不然不容易被抽走。
  == 总而言之，发射结正偏＆集电结反偏导都有利于高掺杂的发射极电子涌向基极，再被抽向集电极。==

答案

其实这里已经解决了标题中“为什么 发正集反偏？”的问题了，发射结正偏导致“涌”，集电结反偏导致“抽”。

二、理性分析这张图

看完我要让你明白：为什么$I_c/I_b=\beta$

1. 公式

那我们先看$I_B$等于什么，由节点电流定律：$I_B=I_{BN}+I_{EP}-I_{CBO}$
再看$I_C$等于什么：$I_C=I_{CN}+I_{CBO}$
顺便看一下：$I_E=I_{EN}+I_{EP}$
不要觉得很复杂，咱们再感性理解一下，

• 因为基极在中间，所以它的电流$I_b$由三部分组成，c流入，e流入，和自己流出
• 射极e在边上，它的电流就两部分，基极流入，和自身流出
• 同理集电极c，分为两部分，基极流入，和自身流出
• 你看看上面的三个等式是不是符合基极电流三项相加，而集电极和发射极电流是两项相加的规律？！
  （到这儿你还没完全懂没关系！ 我确定这一块无法直接理解，所以继续往下看
  另外，不要被我电流流入、流出的说法迷惑，具体看到底是电子还是空穴，电子流入可以被称之为电流流出，所以慢慢看我后面说到底每一部分电流是什么）

2. 结合感性与理性公式认识

咱们一个PN结一个PN结的看，

1. 发射结正偏（集电结断路），这个PN结上发生多子的流动，发射结大量电子涌向基极（$I_{EN}$），基极多子流向发射极（$I_{EP}$），但它是低掺杂度的，所以多子也并不多；所以$I_{EN}$和$I_{EP}$其实都取决于掺杂度，在给定的正偏电压下。 || 题外话：如果这个电流取决与掺杂度，那就说明它受温度影响很严重，高温可以使这个电流变得非常大。
2. 集电结反偏，这个PN结上，之前已经也已经分析了，由于向下的电场增强，电子来到基极的瞬间被抽向集电极产生了$I_{CN}$。加强了，反过来集电区的空穴肯定也要向对面过去，于是产生了$I_{CBO}$.。
   （反偏的电压强化了原先反向的电场，产生了一对少子相对流动的电流，和从发射区过来的大量电子“抽”走的电流）
3. 因为基区的多子是空穴，再怎么薄、再怎么低掺杂，我还是有空位的，你过来的这一大堆电子肯定会有入坑的，也就是产生了复合，这就是$I_{BN}$。
   （这个电流严格来说不是发生在PN结上而是基区，但很薄，咱也就不较真了）

交大的郑益慧老师讲得实在太好了，发射极为什么叫“发射”？因为他高掺杂，电路的电主要由他提供，由集电极收集，所以它叫“集电”。这些称呼对应了晶闸管的“源极”和“漏极”，源极提供电路所需要的电子或空穴，而漏极负责把它drain出去，排出去，漏出去。而栅极和基极都是控制极，栅极，就好像负责架设一个篱笆，负责你电流是否允许被通过。

实在是懒得打公式了，
上面的公式其实就是加减关系，大家应该不难推出来。
这里我说一下，为什么肯定有$I_B>>I_{CBO}$的关系，因为$I_{CBO}$是少子在增强的反向电场下的作用，首先本身集电区就低掺杂，还是低掺杂的少子。而$I_B$由公式(1.3.3)中的$I_{EP}$和$I_{BP}$都是多子产生的电流。

所以上面（1.3.6）的公式是不难推出来的，

3. 然而我有一个问题，为什么$\beta$是个定值？

问题可以化简为，为什么集电极电流和基极电流可以等比例变化？
我们从两个图分别都能理解其中的原因，两个角度大家都理解以下，以便查缺补漏：

3.1 感性 ——图1
对，还是图1，
扩展我们的问题：当发射结正偏，且在缓慢增大电压，而集电结反偏，大小始终不变。在这种情况下，电流$I_B$肯定是缓慢增大的。又因为假设中已经有发射结正偏集电结反偏，所以有$I_C$增大，那为什么它会增大？毕竟集电结的外电路是没有电压变化的嘛。
且为什么俩电流之比始终为常数？
再看图1，
你知道 $I_{CN}$ ≈ $I_C$， $I_{BN}$ ≈ $I_B$，
$I_{CN}$和$I_{BN}$ 都是来自于$I_{EN}$，所以看着图中的$I_{EN}$，当发射结电压变大，$I_{EN}$ 电子涌向基区的箭头就变粗了，同样，跟基区空穴复合的电流$I_{BN}$也就变粗了，顺利到达集电区的$I_{CN}$也变粗了。而且这些变粗的比例都是相同的，所以最后能导致BC的电流变化比例始终不变。

3.2 输入输出特性曲线

1. 管子制成后掺杂度是不变的，只要温度也不变，那输入输出曲线也是固定不变的，也就是书上给出的图
2. 看下图，只要输入有一个正偏电压$U_{BEQ}$，那一定有一个电流$I_B$，也就是输入电路的特性曲线和外电路的交点（图a）；而找到$I_{BQ}$对应的输出曲线，在依据这条输出曲线和外电路的特性又可以找到一个$I_{CQ}$，这时候不要看斜率！放大倍数是$I_{CQ}$和$I_{BQ}$的比值，在（b）这个图上两者是都不变的，所以一定有：集电极电流和基极电流成比例变化的规律。
   

一张有意思的图