常用半导体器件

PN节

背景知识

本征半导体

• 半导体：一般是四价元素，导电性质介于导体和绝缘体之间
• 本征半导体：纯净的半导体，晶格结构，有热运动，电子会溢出产生自由电子和空穴这两种载流子，具备导电性能。电子自己移动导电，空穴与电子形成关系然后导电，独立导电。靠温度可以控制导电，但是总体导电性能弱。
• 本征激发：热运动产生的自由电子和空穴的现象
• 复合： 自由电子填补空穴的现象

杂质半导体（控制导电性能的来源）

N型半导体(多子是自由电子(nagetive))

• 用四价以上的元素一般是P元素渗入本征半导体中，p元素sp3杂化，形成四个共价键，P元素有一个电子会溢出，变成半导体中的自由电子。
• 多子是自由电子，少子是空穴。少子还是来自于本征激发，成对成对的出现

P型半导体(多子是空穴(positive))

• 用四价以下元素一般是B元素渗入本征半导体中，B元素sp3杂化，形成了三个共价键之后，有一个杂化轨道的空穴冗余，所以有更多的空穴作为多子，可以与少数自由电子复合，

因为主要是自由电子和空穴导电，需要载流子浓度提高，参杂杂质原子，给电子的叫施主原子，N型半导体。给空穴的院子叫做受主原子，P型半导体，参杂3价，形成价满后留有空穴，P型。
当温度增加，本征激发一对一对出来，少子增加，多子本征激发加参杂，也增加
空穴是靠电子补充移动导电的

形成原因

1. 完整的本征半导体
2. 分区参杂
3. 正负离子(带原子核)不能够自由移动，能动的只有空穴和自由电子
4. 自由扩散，分界位置复合作用强烈，没有自由电子和空穴，只有离子，不能导电，叫做空间电荷区或者耗尽层
5. 产生从N型(掺杂P元素)指向P型(掺杂N元素)的电场，漂移运动有无到有增强，多子扩散运动，少子漂移运动动态平衡，耗尽层厚度固定，pn节形成

离子不导电，只是提供一个电场，但是这个电场会触发漂移运动

单向导电性
外部电场与内部电场相反，内部减弱，扩散增强，外部电场强到某个程度，耗尽层全部消失，原本的电子定向导通，需要限流电阻

特性

单向导电性

耗尽层存在是对外的电气性质是不导电的，原因是中间存在着不能够导电的离子(有原子核)而载流子运动有限甚至平衡，但是对于内部而言是漂移运动有无到有增强，多子扩散运动，少子漂移运动动态平衡，所以单向导电性其实是破坏这样的动态平衡的体现

正向电压(导通状态)(正极接在P型半导体，负极接在N极半导体)(增强扩散过程的)

1. 增强扩散作用，需要让对应地区的多子更多
2. 所以需要正极接在P型半导体，负极接在N极半导体
3. 增加扩散作用，让空间电荷区(原本不带电的位置)上带上了电荷，电势差的驱动(已经有的载流子移动)
4. 所以空间电荷区带来的电势差就降低了(来源于扩散的不带电的离子，离子净电荷量降低)
5. 所能支持的平衡耗尽层就变窄(如果没有加够的话，加了外部电压，电压减弱了，但是漂流电压也达不到和扩散相同的标准？？？)
6. 直到完全没有不导电的离子，正向导通

老师的解释：扩散作用不需要电场维持，所以内建电场的作用是减缓了扩散作用的过程(内建电场的宽度是有二极管的本身决定的)，而外加电场增加了扩散作用，所以宽度减小

截取从知乎

反向电压(截止状态)(正极接在N型半导体，负极接在P极半导体)(增强漂移过程的)

改变载流子分布，

1. 外加电场，抑制扩散，
2. 增大内建电场，载流子改变分布使得耗尽层扩大
3. 少子运动少，可以忽略不计

耗尽层内电压，某种特殊原因导致耗尽层越窄内部电压越大，耗尽层越宽内部电压越小?

pn节电容效应(一般很小可以忽略)

由$C=\frac{Q}{U}$所以，电压增大电荷增大，有电容效应

势垒电容$C_b$

耗尽层内部多子的扩散运动和少子的飘移运动储存电荷，耗尽层内部的流动电荷

扩散电容

已经正向导通的，整个pn节内部的流动电荷载流子浓度，和电压成正比

节电容$$C_j=C_b+C_d$$
在高频电路中要注意，节电容大的话会容易丧失单项导电性

主要参数

等效电路

应用

二极管

将PN节封装
阳极接正，阴极接负可以导通
符号可以体现单向导电性

－ 点接触型:结面积小，C小，需要高频；结电阻大，发热大，功率受限
－ 面接触型：大功率管

形成原因

伏安特性

反向击穿的载流子来自于共价键：不可逆的

主要参数

• 最大整流电流：最大的平均值
• 最大反向工作电压$U_R$，最大反向瞬时值
• 反向漏电流I_R
• 最大工作频率f

等效电路

综述

过原点->非线性电阻-阻值会变，所以不好用
$$i=I_s(e^{\frac{u}{U_T}}-1)$$
u和U_T的关系
温度增高少子浓度增高，载流子浓度增高，电流都会增大
上升10度增加一倍

等效电路（静态电路）

1. 将伏安特性折线化->线性模型

• 开关（理想二极管），中间没有先相连
• 

2. 理想电压源，经过这个二极管之后，电压要下降U_{on}
   
3. 理想电压源串联电阻 $r_D$
   

外电压 和远大于0.7和，0.2,0.7之间，远大于0.2 是否可以忽略

微变等效电路

大写静态，小写动态
外部动态信号激励，电阻也会变化，为动态电阻
小波动用切线等效误差最小，前提是外部激励是个微变信号，稍微变一变，才能够进行斜率等效

下图符号仅供参考

$$r_d约=\frac{U_T}{I_D}$$
动态电阻和静态位置，等效的位置有关

既用直流又有交流，分别等效再相加，对外部考虑对象等效；先算静态电路，再使用静态电路计算动态电阻。等效模型搞不定就进行画图解题

题目

判断二极管工作状态

1. (无论多少个都一样)二极管断开，观察二极管两边的电压降（偏置电压和0.7的关系）判断导通
2. 如果是多个的话，看偏置电压最大的导通之后对其他的影响，优先级是断开时候的电压降的从大到小

应用

三极管

形成原因

伏安特性

主要参数

等效电路

应用

场效应管

节型

形成原因

伏安特性

主要参数

等效电路

应用

绝缘栅形

形成原因

伏安特性

主要参数

等效电路

应用