基于SRAM的存算一体电路单元

（获得方式（喂：GGBOY2042，备注CSDN,拒绝白嫖哦）

线BL和线BLB用来读写所述的标准的6管SRAM的数据。线WL用来控制所述的标准的
6管SRAM单元的读写使能。
[0019] 当节点Q点为高电平并且节点QB为低电平时，代表标准的6管SRAM存储的权重为
“ 1”。当节点Q点为低电平并且节点QB为高电平时，代表标准的6管SRAM存储的权重为“‑1”。
[0020] 在进行乘加运算时，线IL上的和线ILB上的信号是一对相反的信号。当线IL的信号
为高电平，线ILB的信号为低电平时，代表乘数“ 1”。当线IL的信号为低电平，线ILB的信号为
高电平时，代表乘数“‑1”。
[0021] 在进行乘加运算时，线RBL和线RBLB用来读出乘加结果。线RBL和线RBLB一般需要
用合适的NMOS管或电阻进行下拉。线RBL上的电压和线RBLB的电压代表乘加结果，可用灵敏
放大器或动态比较器读出。运算完成时，当线RBL的电压大于线RBLB的电压时，代表乘加结
果为“ 1”。运算完成时，当线RBLB的电压大于线RBL的电压时，代表乘加结果为“‑1”。