SRAM与DRAM之存储原理

      静态随机存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。“静态”是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以保持住。
      SRAM的存储原理是靠双稳态电路存储器中最小的存储单元就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储单元，可以存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器，就用来存放程序和数据了。

具体的CMOS存储电路是：

由6个晶体管组成，其中M1、M2、M3、M4组合成稳态电路（交叉耦合的反相电路），存储一位bit数据。M5、M6是存储基本单元到用于读写的位线（Bitline）的控制开关。

除了6管的SRAM，其他的SRAM还有8管、10管甚至每个位元使用更多的晶体管实现。这可用于实现多端口（port）的读写访问。一般来说，每个基本单元用的晶体管数量越少，其占用的面积就越小。

内存基本单元使用少于6个晶体管是可能的— 如3管甚至单管，但单管存储单元是DRAM,不是SRAM。

访问SRAM时，子线（Word line）加高电平，使得每个基本单元的两个控制开关用的晶体管M5和M6开通，把基本单元与位线（Bit line）连通。位线用于读或写基本单元保持的状态。

      **DRAM（动态随机存储器）**的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷表示1，无电荷表示0。但是时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷。因此它需要定期刷新操作。刷新操作会对电容进行检查，若电量大于1/2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，来保证数据的正确性。

静态ram是靠双稳态触发器来记忆信息的;动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的.由于电容上的电荷会泄漏,需要定时给与补充,所以动态RAM需要设置刷新电路.但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低,从而成本也低。