高性能LDO电路设计，有配套文档

老王模拟IC

已于 2024-07-01 21:26:05 修改

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文章标签：经验分享

于 2024-07-01 21:06:46 首次发布

版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。

本文链接：https://blog.csdn.net/chaonanya/article/details/140110101

版权

内容：
1、电路文件（有仿真状态）和PDK（TSMC180）
2、配套仿真结果文档讲解6页
3、参考资料三篇

指标：
LDO
温度系数1.09ppm
LDO 环路增益在 64.3dB，相位裕度在 66°，系统稳定。
LDO 最大输出电流可以达到 50mA，负载调整率计算为40.4uV/mA
输出电压为 2.5V 时，线性调整率为3.5mV/V
电源抑制比PSRR=56.2dB
功耗 132uA

BG：ppm1.19
EA（折叠）：增益60dB，带宽10MHz

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高性能LDO电路设计，有配套文档

LDO 最大输出电流可以达到 50mA，负载调整率计算为40.4uV/mA。LDO 环路增益在 64.3dB，相位裕度在 66°，系统稳定。1、电路文件（有仿真状态）和PDK（TSMC180）输出电压为 2.5V 时，线性调整率为3.5mV/V。EA（折叠）：增益60dB，带宽10MHz。标价即卖价，拍下自动发货。电源抑制比PSRR=56.2dB。2、配套仿真结果文档讲解6页。温度系数1.09ppm。
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