加入忆阻器的超混沌系统电路设计【Multisim+matlab联合】

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基于忆阻器的超混沌系统电路，结合Multisim和MATLAB的联合仿真，分析了经典Lorenz混沌系统、单参数控制Lorenz混沌系统与忆阻器超混沌系统的动力学特性，并通过电路仿真实现了基于忆阻器的超混沌系统。以下是详细设计内容：

1. 忆阻器的基本特性及模型

忆阻器（Memristor）是一种具有记忆效应的电路元件，阻值随着通过其的电流或电荷的历史变化而改变。忆阻器与电阻、电容和电感等传统元件不同，其电压与电流之间的关系不再是线性的，而是具有滞后特性。以下是三种常见的忆阻器模型：

• HP忆阻器模型：惠普实验室首次提出的忆阻器模型，其阻值随通过忆阻器的电流积分而变化。
• 阈值忆阻器模型：引入电流阈值，在低于阈值时忆阻器表现为线性电阻，大于阈值时阻值随时间发生非线性变化。
• 通用忆阻器模型：基于时间和电荷的忆阻器方程，描述了忆阻器的广泛行为。

忆阻器的非线性动态特性可以引入到混沌系统中，从而构造出具有更复杂行为的超混沌系统。

2. 忆阻器超混沌系统的构造机理

Lorenz混沌系统是一个经典的三维非线性动力学系统，具有复杂的混沌行为。通过在Lorenz系统中引入忆阻器，能够进一步增强系统的非线性特性，形成更复杂的超混沌行为。

2.1 经典Lorenz混沌系统

经典的Lorenz系统描述如下：

2.2 引入忆阻器的Lorenz超混沌系统

通过在Lorenz系统中引入忆阻器，系统方程变为：

3. 动力学特性分析

3.1 平衡点集与稳定性分析

通过对忆阻器超混沌系统进行数值计算，可以求得系统的平衡点集。通常，系统的平衡点由以下方程组求解：

求解该方程组后，可以分析各平衡点的局部稳定性。利用Jacobian矩阵对系统进行线性化，通过特征值分析判断系统在平衡点附近的稳定性。

3.2 李雅普诺夫指数与超混沌行为

为了确定系统的混沌性，可以通过计算李雅普诺夫指数（Lyapunov Exponents）来判断系统的动态行为。李雅普诺夫指数描述了系统轨迹对初值的敏感性。当系统存在多个正的李雅普诺夫指数时，说明该系统具有超混沌特性。

通过MATLAB仿真计算，忆阻器超混沌系统的李雅普诺夫指数可进一步用于判断系统的复杂度。

4. MATLAB仿真分析

通过MATLAB对经典Lorenz混沌系统、单参数控制Lorenz混沌系统及忆阻器超混沌系统进行仿真，得到了各系统的相图、分岔图及李雅普诺夫指数。

4.1 相图

相图展示了系统的相空间轨迹，反映了系统的混沌运动情况。对比经典Lorenz系统与忆阻器引入后的系统，可以观察到相图的复杂程度增加，表明忆阻器引入后系统的混沌行为更加复杂。

4.2 分岔图

分岔图显示了系统随参数变化时的行为模式，通过对系统进行扫描，发现忆阻器系统的分岔现象更加复杂，稳定性区域更难以预测，表明了忆阻器系统的超混沌特性。

4.3 李雅普诺夫指数

仿真中，通过计算三种系统的李雅普诺夫指数，进一步确认忆阻器超混沌系统具有多个正的李雅普诺夫指数，展示出比经典混沌系统更高的动态复杂性。

5. 混沌电路设计

根据改进型混沌电路的设计流程，本文对单参数控制的Lorenz混沌系统和忆阻器超混沌系统进行了硬件电路设计。使用Multisim仿真平台进行了电路的模拟仿真，验证了理论推导和仿真结果的一致性。

5.1 Lorenz混沌电路

经典Lorenz系统的电路通过电容、电感和非线性运算放大器来实现。通过Multisim中的运算放大器、集总元件以及函数发生器，搭建了一个Lorenz混沌电路。

5.2 忆阻器超混沌电路

为了模拟忆阻器的非线性动态行为，本文采用了HP忆阻器模型，结合运算放大器电路搭建了忆阻器超混沌电路。仿真结果显示出超混沌现象，并与MATLAB仿真结果一致。

6. HP离子忆阻器模型与实物电路实现

为了进一步验证忆阻器超混沌系统的复杂性，本文采用HP离子忆阻器模型进行了电路实现，并在Multisim平台上进行了实验验证。通过对电路中的忆阻器状态和输出信号的观测，确认了其复杂的动态行为。这为在保密通信、信息加密等领域的应用提供了理论支持。

HP 离子忆阻器模型电路仿真模型设计

单参数控制Lorenz 系统电路图

设计框架