常用存储器介绍(RAM/ROM/FLASH)

常用存储器介绍

常用存储器介绍_喜欢打篮球的普通人的博客-CSDN博客_存储器的分类

存储器是用来存储程序代码和数据的部件

一.存储器的种类

其中的“易失/非易失”是指存储器断电后，它存储的数据内容是否会丢失的特性；

在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘

二.RAM

RAM 可随读取其内部任意地址的数据，时间都是相同的

1.动态随机存储器 DRAM(Dynamic RAM)

动态随机存储器 DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1，无电荷代表 0，代表 1 的电容会放电，代表 0的电容会吸收电荷，因此它需要定期刷新操作，这就是“动态(Dynamic)”一词所形容的特性。

1）SDRAM

根据 DRAM的通讯方式，又分为同步和异步两种，这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信号来区分。

图 22-3 是一种利用时钟进行同步的通讯时序，它在时钟的上升沿表示有效数据。

由于使用时钟同步的通讯速度更快，所以同步 DRAM 使用更为广泛，这种 DRAM 被称为 SDRAM(Synchronous DRAM)。

2）DDR SDRAM

 DDR SDRAM 存储器(Double DataRate SDRAM)，它的存储特性与 SDRAM 没有区别，但 SDRAM只在上升沿表示有效数
据，在 1个时钟周期内，只能表示 1 个有数据；而 DDR SDRAM 在时钟的上升沿及下降沿各表示一个数据，也就是说在 1 个时钟周期内可以表示 2 数据，在时钟频率同样的情况下，提高了一倍的速度。至于 DDRII和 DDRIII，它们的通讯方式并没有区别，主要是通讯同步时钟的频率提高了。

当前个人计算机常用的内存条是 DDRIII SDRAM 存储器，在一个内存条上包含多个DDRIII SDRAM芯片。

2。静态随机存储器 SRAM(Static RAM)

静态随机存储器 SRAM 的存储单元以锁存器来存储数据，不需要定时刷新充电

同样地，SRAM 根据其通讯方式也分为同步(SSRAM)和异步 SRAM

3.DRAM与 SRAM的应用场合

可知 DRAM 的结构简单得多，所以生产相同容量的存储器，DRAM的成本要更低，且集成度更高；

而 DRAM中的电容结构则决定了它的存取速度不如 SRAM；

SRAM一般只用于 CPU内部的高速缓存(Cache)，而外部扩展的内存一般使用 DRAM；

三、ROM

1.MASK ROM

MASK(掩膜) ROM就是正宗的“Read Only Memory”，存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的，生产后就不可修改，其主要优势是大批量生产时成本低。

2.OTPROM

OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料，用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入，但只能写入一次，被写入过后，它的内容也不可再修改

3.EPROM（已淘汰，要用紫外线擦除，说实话，真滴是麻烦）

EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重复擦写的存储器，擦除和写入都要专用的设备（使用紫外线照射芯片内部擦除数据）。现在这种存储器基本淘汰，被 EEPROM 取代

4.EEPROM

EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是电可擦除存储器，EEPROM 可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的 ROM 芯片都是EEPROM。

三、FLASH

FLASH 存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的存储器，部分书籍会把 FLASH 存储器称为 FLASH ROM，但它的容量一般比 EEPROM 大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位。

而 NOR与 NAND特性的差别，主要是由于其内部“地址/数据线”是否分开导致的。 NOR 的地址线和数据线分开， NAND的数据和地址线共用；

NOR FLASH ：一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间。

NAND FLASH： 一般应用在大数据量存储的场合，包括 SD卡、U盘、固态硬盘以及eMMC等，都是 NAND FLASH 类型的。

eMMC (Embedded Multi Media Card）是一种NAND Flash

DDR是一种DRAM

 

1、nor flash：NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。

2、Nand flash

3、SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。

4、DRAM：动态随机存储器

5、DDR3：DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（同步动态动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品规格。

6、SDRAM：同步动态随机存储器，像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高，因为是动态的，所以必须有刷新电路，每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。

7、SD

8、MMC

9、eMMC：就是为了简化内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。

10、CompactFlash

11、ROM：只读存储器的总称。

12、PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。

13、EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。

14、EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。

15、DRAM是用PN结电容存储0/1的，由于漏电的存在，时间长了两级板电位差会消失也就是1会变成0，所以过一段时间需要根据里面的内容补充电荷，这叫刷新。刷新过程中不能读写。SDRAM是DRAM的一种，增加了同步时钟，提高了读写速率。从原理来说现在的DDR3也是SDRAM的一种。不过约定俗成的说法是SDRAM只包含最早的单倍速读写SDRAMSARM存储数据的单元是D触发器，这种双稳态电路的0/1状态都是稳定的所以不需要刷新，只要有电就能一直存下去。从存储密度来说，DRAM/SDRAM每个bit需要一个晶体管，而SRAM最少需要4个，高速SRAM需要6个以上，而且由于晶体管之间的互联SRAM复杂得多，占了很大的空间，所以同制程的SRAM容量要小的多。从速度来说，DRAM/SDRAM需要刷新和回写，极速比不上SRAM。所以CPU的缓存是SRAM，主内存用SDRAM从省电的角度来说，DRAM/SDRAM要刷新比较费电，而省电设计的SRAM只要一个纽扣电池就可以保存数年之久（比如以前的游戏卡）

                        
原文链接：https://blog.csdn.net/u010168781/article/details/60151411