WNM2024是一款20V，3.9A的单N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，具备超低RDS（ON）和阈值电压。适用于DC-DC转换器、电源开关、充电电路及驱动器应用。此MOSFET提供SOT-23小包装，且为无铅无卤设计。
描述
单N沟道，20V，3.9A，功率MOSFET
WNM2024是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电
电路。 标准产品WNM2024是无铅的无卤。
特征
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23
应用
继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器 FAE:13723714318
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电
绝对最大额定值
参数符号10 S稳态单元
漏源电压VDS 20
栅源电压VGS±8V
TA = 25°C 3.9 3.6
连续漏极电流a
TA =70℃
ID 3.1 2.9
一个 TA = 25℃0
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