射頻功放輸入端 匹配元件的作用

先说结论

1. 提升驱动放大器(DA)的线性度
2. 改善匹配  避免VCO Pulling
3. 滤除谐波   避免EVM上升

首先我们知道   在收发器内部   包含了驱动放大器 (Driver Amplifier  简称DA)

作为功放的前置放大

所以高通平台   收发器发射端输出  会命名为DA

换言之   功放输入端的匹配电路

其实就是DA看出去的Load-pull   会影响DA线性度

而根据EVM迭加公式

最终量到的EVM   其实是由收发器与功放分别迭加而成

换言之

如果功放输入匹配    离50奥姆太远    导致DA线性度不好  使得收发器输出信号的EVM已经不好

那即便功放输出端的匹配调得再好    最终的EVM  还是不会好

另外   一些知名大厂   例如高通  博通

其收发器   多半都是零中频架构

也就是VCO的频率  与信号频率会一样

如果功放输入匹配  离50奥姆太远  导致信号反射  打到VCO

就会影响调变精确度   例如EVM  都会受影响

虽然一般教科书   对于VCO Pulling的担忧   是功放的输出信号  因为能量较强

所以一些知名大厂  如高通  联发科   都会呼吁   摆放组件时

收发器跟功放  要分别在不同的屏蔽框  道理在此

但功放的输入端    离收发器最近   因此即便信号没那么大

还是可能会导致VCO Pulling

另外   零中频架构收发器

还有一项既有缺失   就是所谓的Counter Intermodulation

如下图:

BB即基频信号 (Baseband)   在升频过程中  会跟LO (Local Oscillator)混波

产生 (LO + BB)的信号

但是  LO的三倍谐波3LO   也可能跟BB混波   产生3LO – BB的信号

换言之  功放输入端  可能会同时有

LO + BB

3LO – BB

这两个信号

透过功放的非线性效应   产生3阶的交互混波

F1 – 2f2 => (3LO - BB) – 2 (LO +BB) = LO – 3BB

因为BB是极低频的信号  换言之 

该3阶交互混波LO – 3BB   会紧邻RF信号 LO + BB

使其底噪上升   信号比下降

而由公式可知   信噪比又与EVM成反比

因此信噪比下降  会导致EVM的飙升

也因此    早期一些零中频架构的收发器

会在功放输入端  置放一个滤波器    用意在此[2]:

而高通的QCN6432平台   也做了这样设计   在功放输入端  预留一个SAW Filter[4]

而知名大厂Marvell    也针对该现象   提出专利[5]

而后来   一些电路架构   将该滤波器的角色 

简化成LC组件来实现    兜成低通滤波器   抑制3LO – BB进入功放

如高通的WTR2965  用五颗组件  兜成低通滤波器

可以看到该低通滤波器

对于主频  约莫只有0.8dB的损耗

但对于3倍谐波   有43dB的抑制

总结:

许多人在EVM不好时   拚了命调功放输出

却忘了功放输入   对EVM也是有其贡献   

当功放输出再怎么调  EVM都降不下来时

不妨调一下功放输入   或许那才是EVM降不下来的根源

参考文献

[1] A Study of Injection Locking and Pulling in Oscillators, IEEE

[2] A 1.75-GHz Highly Integrated Narrow-Band CMOS Transmitter With Harmonic-Rejection 

    Mixers, IEEE

[3] A Multiband 40nm CMOS LTE SAW-Less Modulator with -60dBc C-IM3, IEEE

[4] SCHEMATIC, CCA, QCN6432.M2.PB02.1, PEBBLE 11BE 2X2 5G 240M XFEM CLPC M.2 

     PCIE RETAIL/CARRIER, Qualcomm

[5] Systems and Methods for Reducing Signal Distortion in Wireless Communication, Patent