stm32 SSI读编码器

void Init_PIC(void)
{
    AS5311_CLK_H;
    AS5311_CSN_DIS;        
    delay_ms(2);
    AS5311_CSN_EN;    //CLK为高电平时，CSN来个下降沿可以使能磁栅尺AB脉冲
    delay_ms(100);
}

uint32_t read_AS5311chip(void)
{
  uint32_t raw_value;// = 0;
  uint16_t inputstream;// = 0;
  uint16_t c;
  inputstream = 0;
    raw_value = 0;
  AS5311_CLK_H;//digitalWrite(_clock, HIGH);
  AS5311_CSN_H;//digitalWrite(_cs, HIGH);
    delay_Systick_200ns(DELAYNUM);//delay_us(2);//
//  AS5311_CLK_H;//digitalWrite(_clock, HIGH);
//    delay_us(DELAYNUM);
  AS5311_CSN_L;//digitalWrite(_cs, LOW);下降沿
    delay_Systick_200ns(1);//delay_us(1);//
  AS5311_CLK_L;//digitalWrite(_clock, LOW);
    delay_Systick_200ns(DELAYNUM);//delay_us(2);
  for (c = 0; c < 18; c++)
  {
    AS5311_CLK_H;//digitalWrite(_clock, HIGH);
        delay_Systick_200ns(DELAYNUM);//delay_us(2);//
    inputstream = GPIO_ReadInputDataBit(GPIO_AS5311_DO,PIN_AS5311_DO);//digitalRead(_data);
    raw_value = ((raw_value << 1) + inputstream);
    AS5311_CLK_L;//digitalWrite(_clock, LOW);
        delay_Systick_200ns(DELAYNUM);//delay_us(2);//
  }
    AS5311_CLK_H;
//    delay_us(10);
    return raw_value;
}

void AS5311_AnalyzeSSICode(void)    //获取0-4096
{
    uint8_t cnt;
    uint8_t cnt_1;
    AS5311Dt.SSICode = read_AS5311chip();
//    AS5311Dt.detail.Errcode = AS5311Dt.SSICode & 0x0000003F;
//    AS5311Dt.detail.AbsCode = AS5311Dt.SSICode >> 6;
//检验数据是否有效 OCF COF LIN MagINC MagDEC Parity
//                 1   0   0    不能同时为1 奇偶校验
//OCF 0 补偿算法未完成，bit11-0可能无效
//COF    1 溢出，bit11-0无效
//LIN    1 线性度不好，bit11-0无效，若出现需增强磁栅尺的强度
//MagINC MagDEC 磁场强度    ，1 1表示磁场强度若
//Parity 偶校验
    if(3 == AS5311Dt.Class.Mag)
    {    //磁栅尺信号弱
        GbDt.Gb.SysAlm = AS5311WEAKERR;
    }
    else
    {
        if(4 != AS5311Dt.Class.Err)
        {        
            GbDt.Gb.SysAlm = AS5311READYERR;
        }
        else
        {
            cnt = 18;
            cnt_1 = 0;
            Seg32data.all = 0x0000A8A1;//AS5311Dt.SSICode;
            do
            {
                if(Seg32data.bits.bit0 == 1)
                {
                    cnt_1++;
                }
                Seg32data.all = Seg32data.all >> 1;
            }while(cnt--);
            cnt_1 = cnt_1 % 2;
            if(!cnt_1)
            {
                checkCounter();
                switch(GbDt.Gb.SysAlm)
                {
                    case AS5311READYERR:        //准备错误
                    case AS5311WEAKERR:            //信号弱
                    case AS5311EVENERR:            //奇偶错误
                        GbDt.Gb.SysAlm = NORMAL;
                        break;
                }
            }
            else
            {    //偶校验失败
                    GbDt.Gb.SysAlm = AS5311EVENERR;
            }
        }
    }
}

void checkCounter(void)
{
    int32_t temp;
    float Buf;
    GlPara.Curpole = AS5311Dt.detail.AbsCode/1366;    //[0,1366) 0;[1366,2732) 1;[2732,4095] 2

  if (GlPara.Lastpole == 2 && GlPara.Curpole == 0)
    {
    GlPara.SSIcount++;
  }

  if (GlPara.Lastpole == 0 && GlPara.Curpole == 2)
    {
    GlPara.SSIcount--;
  }
  //lastEncoderVal = encoderVal;
  GlPara.Lastpole = GlPara.Curpole;
    //转换为nm
    temp = AS5311Dt.detail.AbsCode;
    temp = 200000*(temp - GlPara.ZeroCode)/4096;
    temp += GlPara.SSIcount * 200000;
    GlPara.SSICurPos = temp;        //单位10nm=0.01um
//    Buf = GlPara.SSICurPos;
//    Buf = Buf * SSIPOS_TO_TPLS;
//    GbDt.Gb.CrrntPstn[OPTMTR] = Buf;
}

void Init_Zero(void)
{
    AS5311_AnalyzeSSICode();
    GlPara.Lastpole = 1;
    GlPara.ZeroCode = AS5311Dt.detail.AbsCode;
    //checkCounter();    
    GlPara.SSIcount = 0;
}

注意不用SSI模式时，CSN下降沿时CLK要处于高电平状态，否则AB正交脉冲不对。这样可能出现干扰导致磁栅尺错误，从而可以做个这样的时序，就算出现干扰好也能恢复。