2ED2410学习笔记

2ED2410学习笔记

1、2ED2410介绍

1.1、前言

最近的工作遇到了英飞凌得2ED2410芯片，写一篇笔记记录学习过程

1.2、特征

• 带有两个栅极驱动输出的单通道设备-----GA,GB
• 3Ω的下拉电阻，50Ω的上拉快速开关
• 支持背靠背MOSFET拓扑(共漏共源)
• 两个外部增益可调的双向高边模拟电流检测接口-------ISN,ISP
• 可调的过流/短路保护
• 通用比较器实现：可调I-t导线保护，过压/欠压或过温保护 -----CPP和CPN

1.3、应用范围

• 针对大电流供电的故障操作
• 电源之间的连接/隔离开关(例如用于混合动力和电动汽车)
• 开发支持可靠的电力供应和配电

1.4、描述

2ED2410-EM是一款单通道栅极驱动器，具有两个独立的栅极输出，适用于12 / 24 V汽车应用。 它提供了多种保护功能，用于连接/断开负载或不同的电源

2、管脚配置

2.1、CSO1

• 作为输入脚：模拟电压输入强制进入安全模式
• 作为输出脚：电流检测输出1：模拟电压反馈，提供与ISP1/ISN1的分流电流或VDS 成比例的电压。
• Current Sense Output1

2.2、CSO2

• 电流检测输出2：模拟电压反馈，提供与ISP2/ISN2的分流电流或VDS 成比例的电压。
• Current Sense Output2

2.3、CPP

• 比较器正极：比较器的模拟正输入
• Comparator Positive

2.4、CPN

• 比较器负极：比较器的模拟负输入。
• Comparator Negative

2.5、INT

• 中断：开漏中断输出

2.6、DG1

• 诊断1

• DG1在sleep模式下是逻辑低电平

• 在idle模式下，通道B VDS与VS的数字电压信息比较。

• ON模式下，电流方向的数字电压信息

  •如果电流从ISP1到ISN1连接，DG1为逻辑高

  •如果电流从ISN1到ISP1连接，DG1为逻辑低

• 安全模式下，数字电压信息

  •如果由于CP或SC或VS(UV)导致安全状态，DG1逻辑高

  •如果由于UVLO导致SAFESTATE, DG1逻辑低

2.7、DG0

• 诊断0

• DG0在sleep模式下是逻辑低电平

• 在idle模式下，通道A VDS与VS的数字电压信息比较。

• ON模式下，升压转换器频率的数字电压信息

• 安全模式下，数字电压信息

  •如果由于CP或UVLO导致SAFESTATE，则DG0逻辑高

  •如果SC或VS(UV)导致安全状态，则DG0逻辑低

2.8、INB

• inputB
• INB数字逻辑低，通道B关闭；INB逻辑高，通道B开启
• 只有当EN引脚高电平时，通道B开启时，栅极驱动器开启

2.9、INA

• inputA
• INA数字逻辑低，通道A关闭；INA逻辑高，通道A开启
• 只有当EN引脚高电平时，通道A开启时，栅极驱动器开启

2.10、EN

• ENABLE
• 当EN低电平时；栅极驱动器处于sleep模式，通道A和B处于关闭，栅极驱动器复位
• 当EN高电平时，并且INA和INB都是逻辑低时，栅极驱动器处于idle模式

2.11、GND

2.12、RS

• Resistor sense

• 升压转换器的电阻检测输出:升压变换器的电流测量。

2.13、SW

• Switching

• 升压变换器的开关电源输入，电感连接。

2.14、SA

• SourceA
• 源A：输出A连接到外部MOSFET源

2.15、GA

• GateA
• 门驱动A：输出到外部MOSFET门的连接

2.16、ISN1

• I Sense Negative 1
• 流传感器负极1：外部分流或VDS负连接。
• 可测电流方向

2.17、ISP1

• I Sense Positive 1

• 电流传感器正极1；外部分流或VDS正连接。
• 可测电流方向

2.18、VS

• 参考电压：拓展3-58V

2.19、TMP

• 温度输入:模拟连接外部NTC或PTC热敏电阻。

2.20、ISP2

• I Sense Positive2

• 电流传感器正极2：外部分流或VDS负连接。

2.21、ISN2

• I Sense Negative 2
• 流传感器负极2：外部分流或VDS正连接。

2.22、GB

• GateB
• 栅极驱动B：输出B连接到外部MOSFET门。

2.23、SB

• SourceB
• 输出B连接到外部MOSFET源

2.24、TMPO

• Temperature Output
• 温度输出:模拟电压反馈，提供与热敏电阻温度成比例的电压。

2.25、BC

• Boost Converter output

• 升压转换器电容输出连接

3、通用的产品特性

略

4、电气特性

略

5、通用操作

5.1、操作模式

• 2ED2410-EM具有4种工作模式：SLEEP, IDLE, ON和SAFESTATE
• 由输入INA, INB和ENABLE引脚组合选择，在SAFESTATE的情况下，由保护功能或力信号选择

5.2、电流消耗

驱动器电池供电的电流消耗，也称为2ED2410-EM的静态电流，取决于以下条件

• 驱动器的工作模式
• 用于升压转换器的外部组件，它既是驱动器电源，也是外部MOSFET门电源。
• 对于SLEEP模式，它也取决于使用的MOSFET结构

5.3、时序图

5.4、逻辑管脚

• 逻辑引脚兼容5V和3.3V微控制器，它们可以直接连接到微控制输出，不需要额外组件，有一个内部串联和下拉电阻。可以使用RC电路稳定EN引脚上的电压，因为EN的电压在逻辑中用作内部参考
• 输入控制电路驱动门驱动器的等级，通过Rin(gnd)接地，避免意外开关
• 使能脚EN控制升压转换器开/关，和偏置所有模拟逻辑
• INx引脚直接控制门驱动器输出，因此INA=1，设置GA = 1，INB= 1，设置GB = 1,输入输出A和B是独立
• 如果ENABLE和至少一个INx引脚一起设置高，保护和测量将打开，但只有当Vbc-Vs大于Vbc(TH)
• 当驱动器通过INx = 1进入ON模式时，保护在一段时间tPOI后准备就绪，放大器在一段时间tCSA(ACC)后获得最大精度
• 当Vinx<Vin(L)，or V(en) <Vin(l)时，INx和ENABLE引脚设置为逻辑低
• 数字输出返回一个低或高的逻辑电平信号。输出高压电平以Ven为基础，并在电气特性表中以Vdgx与Ven的比值给出

5.5、栅极输出

• 2ED2410有两个相同的栅极输出GA和GB，分别与源极引脚引脚SA和SB的工作
• 输出通道通过将相应的数字输入引脚INA和INB设置成高电平来激活
• 这些输出的结构是推挽输出，逻辑通过设计确保MOS管 K2x和 K3x不会同时开启
• K2x为p通道增强MOSFET, K3x为n通道增强MOSFET。
• 升压驱动器电容Cbc提供的电流，接通连接栅极驱动器的外部MOS管，通过K2x到栅极引脚Gx。
• 关闭外部MOSFET的电流从栅极引脚Gx通过K3x到源引脚Sx

5.6、接地损耗保护-模块级

只要Vs存在，MOS管K3默认保持打开，如果GND或者ECU丢失，满足以下条件，K3保持接通

• VS脚连接电源线
• GND板/ECU断开
• 睡眠，空闲，打开或者安全模式，

在ON模式下，如果GND板或者ECU接回，驱动器输出将再次被打开（K3关闭），因此无需ENABLE复位

6、低旁路电流特性

• 当处于IDLE模式时，2ED2410-EM可以从VS引脚吸收低电流到其源引脚SA和/或SB，从SA到SB或SB到SA。
• 在Vsx = Vs - Vds_DIAG(TH)之前，Isource以典型值交付，当对应源上的Vs - Vds_DIAG(TH)阈值达到时，Isource逐渐减小，当Vsa = Vsb = Vs时关闭。因此，2ED2410-EM能够提供电流Isource来提供ECU空闲模式电流，同时保持其自我消耗非常低。
• 2ED2410还可以对下游电网中的ECU输入电容进行预充电，并在停车模式下以最小电流消耗对其充电

7、测量功能

7.1、idle模式下的VDS监测

• VDS漏源电压，MOS管漏极(D极)和源极(S极)电压
• VDS监控功能可在IDLE模式下读取DGx引脚。
• DG0和DG1分别监控VDSA (VS - VSA)和VDSB (VS - VSB)，前提是MOSFET漏极连接到VS
• Vdsa(or Vdsb) > Vs - Vds_diag(th) =>DG0(or DG1) = high level
• Vdsa(or Vdsb) < Vs - Vds_diag(th) =>DG0(or DG1) = low level
• 将MOSFET源与内部参考电压Vs- VDS_DIAG(TH)进行比较

7.2、电流传感器在 ON模式和SAFESTATE模式

2ED2410-EM具有两个集成电流检测放大器(激活在ON和SAFESTATE模式)。

这些电流检测放大器CSA1和CSA2由两个相同的差动放大器实现，具有宽可调增益(G)

输入为ISP1/2和ISN1/2引脚，输出为CSO1/2引脚。

电流传感器必须具有高侧位置，或者位于背靠背公共漏极配置中的MOSFET漏极之间

电流传感放大器允许在两个方向上监测流入分流器(或MOSFET)的电流，这被称为双向电流传感

增益通过外部电阻RISP1/2 = RISN1/2在输入端(在传感器端)和RCSO1/2在输出端(在微控制器/连接器端)设置。

电流方向信息仅CSA1可用，可由单片机直接在DG1引脚上以ON模式读取(电流方向从ISN1到ISP1为0，否则为1)。

CSA1具有集成比较器，用于快速短路保护。

7.3、温度测量放大器在 ON模式和SAFESTATE模式

• 2ED2410-EM具有集成温度监控放大器TMPA(活跃的在ON和SAFESTATE模式下)。
• 该温度监测功能是由差动放大器实现的。
• 输入引脚是TMP，输出引脚是TMPO。
• 温度放大器允许通过监测Vtmpo来监测流入Rntc的热量。
• 增益不是直接可调的，比例kTMP是由驱动器自动调整增益保持不变的。
• 输入Rntc和输出Rtmpo保持比值。
• 输出是一个模拟电压信号:VTMPO表示RNTC中的温度。它可以通过微控制器直接读取引脚TMPO(温度输出)。
• RTMP不是强制性的，但输出信号VTMPO的线性化可能需要RTMP，这取决于热敏电阻解决方案的选择。

8、ON模式下的保护功能

8.1、短路保护

• CSA1在其输出CSO1上有一个快速比较器，当Vcso1达到Vcso(TH) =Kcso x Ven时，允许2ED2410-EM进入SAFESTATE模式。
• 这允许在使用CSA1时过流/短路的情况下快速关闭延迟时间。
• 2ED2410-EM能够在没有微控制器的情况下关闭MOSFET。
• 关断延时时间为tDSCG(L)，可以用tDSCCSO1(H) + tDCSO1(H)INT(L) + tDINT(L)G(L)的和来计算。
• 然而，tDSCG(L)的最大值并不是其他延迟最大值的总和，因为通过构造、硅工艺和变化使这种情况不可能发生。这就是为什么在CSA1比较器检测短路时，在考虑最坏情况下的关断延迟时，只考虑tDSCG(L) (PRQ-330)的最大值。
• 一旦进入SAFESTATE模式，驱动程序需要重置
• 短路保护标称电压范围为VS(NOR)。如果已经处于ON或IDLE模式，2ED2410-EM将继续工作。
• 在VS(SC)LOW范围内，短路检测和关闭是可操作的，2ED2410-EM是受保护的，但VCSO(TH)参数，因此短路检测取决于VS和VEN

8.2、Vs低压保护

• VS引脚有一个集成比较器，永久比较VS电压与VS(UV)，允许2ED2410-EM在VS降至VS(UV)电平时进入SAFESTATE模式。
• 关闭延时时间由tDUV(H)INT(L) + tDINT(L)G(L) 的和计算。

有以下两个后果：

• 驱动器被保护到电池上的0v，这意味着一个非常强烈的短路，实际上会使VS节点上的电压降至0v，并且开关被保护。
• 如果微中断时间超过tDUV(H)INT(L)，驱动器可能对电源上的微切断敏感。为了克服这种影响，可以在Vs引脚旁边使用电容(例如几个微法拉)。
• 此外，如果在应用程序中需要大的微切，ENABLE引脚可以直接通过100kΩ(或更多)电阻连接到VS引脚
• 在ENABLE引脚上需要一个额外的稳压二极管，以将电压限制在所需的值，例如3.3 V或5 V。当微中断结束时，一旦在ENABLE引脚上再次达到VEN(H) (PRQ-74)阈值，驱动器将自动再次打开。
• 一旦进入SAFESTATE模式，驱动程序需要重置。

8.3、自定义保护比较器

• 2ED2410-EM具有输入CPP和CPN的电压比较器。该比较器可用于触发基于任何模拟电压的SAFESTATE模式，甚至是外部电压2ED2410-EM。
• CPP是比较器的正输入，CPN是负输入。
• Vcpref可以由微控制器调节，也可以由板载电源芯片(如英飞凌SBC)或简单的分压器固定，在Vcp(REF)的限制内保持稳定。
• 使用该比较器允许2ED2410-EM进入SAFESTATE并独立于微控制器关闭MOSFET。比较器的反应延时为tDCP(H)INT(L)。因此，比较器CP停机时的关断延时时间可以用tDCP(H)INT(L) + tDINT(L)G(L)的和来计算。
• 触发SAFESTATE模式时，数字输出{DG0;DG1}反馈{1;1}。参见第5.1章。一旦进入安全状态，驱动程序需要重置。

以下是四种常见的用例

• 情况1:使用TMPO输出的过温保护。

• 情况2:使用RC的I-t线保护。这两个限制，短反应时间和长直流电是动态可调的(例如微控制器PWM输出)与Ven和Vcpref分别。

• 情况3:使用任何外部信号进行保护。Vcp(REF)可由单片机动态调节。

例如，对于电池开关应用，BMS的电流反馈可用于触发SAFESTATE模式。

• 案例4:通过简单分压器监测VS进行欠压保护。

8.4、栅极欠压锁定保护

• 栅极欠压锁定保护UVLO的目的是避免由于升压变换器输出或MOSFET栅极上的泄漏而导致MOSFET在线性模式下驱动。

• 如果在ON模式中，Vbc - Vs<UVLO，则驱动进入SAFESTATE模式。

• 在ON模式下激活UVLO保护功能，如果满足Vbc - Vs > Vbc(TH) ，则在ON模式下至少满足一次

• 如果在ON模式下 VBC - VS < UVLO、并且VBC(TH)没有到达一次，设备不会进入SAFESTATE模式，因为UVLO没有激活，但门没有打开。

• 因此，这种情况可以通过INT = 1和DG0来检测，显示升压变换器的最大频率，给定所实现的升压变换器外部组件。一旦进入安全状态，驱动程序需要重置

8.5、重置SAFESTATE

• 2ED2410-EM有一种方法可以主动重置SAFESTATE: EN引脚上的电压需要拉低tRESET时间。
• 一旦EN引脚被拉下，INT信号将上升，直到驱动器再次达到睡眠状态。通过DG0 = DG1 = low可以验证SLEEP状
• 2ED2410-EM可以通过EN=high和INA=INB=low移动回IDLE模式。
• :当EN设置为“高”时，如果INA或INB仍为“高”，则满足VBC- VS≥VBC(TH)条件时，驾驶员将立即进入ON模式。

9、驱动电源:升压转换器

• 一个升压“直流-直流转换器”结构是2ED2410-EM的电源。
• 二极管和激活开关K1在驱动器中实现，但电容器Cbc，电阻Rrs和电感L1必须作为外部组件添加。
• 升压转换器在IDLE模式、ON模式、SAFESTATE模式下处于激活状态。在SLEEP模式下关闭。
• 当VS≥VS(NOR)和VEN≥VEN(H) (PRQ-74)时，升压变换器启动。然后，一旦VBC - VS≥VBC(TH) (PRQ-139)，升压变换器在VS(EXT)范围内正常工作。如果VEN≤VEN(L)，则驱动器从其他三种工作模式中的任何一种返回SLEEP模式，升压转换器停止。
• 开关K1激活时间在on模式下反映在引脚DG0上。

激活

• K1是一个集成MOS管，当Vbc-Vs < Vbc(th) and Vrs < Vrs(th)，当Vbc-Vs > Vbc(th) and Vrs >Vrs(th)
• 电感器通过二极管D给CBC电容器充电,D有VFBC (PRQ-148)正向压降。
• 到达VRS(TH)后，K1 MOSFET不能在tBC(OFF)时间内重新启动。这限制了升压转换器的最大频率。

10、应用中MOS管的连接

• 放大器CSO1和/或CSO2可以断开连接，以减少2ED2410-EM的自耗
• 任何自定义保护信号都可以连接到附加比较器，而不管所使用的功率MOSFET结构如何

常见参数

• VBC：升压转换器电压
• VBC(TH)：BC输出VBC - VS调节电压
• tPOI：上电输入延时
• tD(ON)：打开延时
• UVLO：升压转换器欠压锁定电压
• UV：Undervoltage protection on VS，VS欠压保护
• SC：Short-circuit protection ，短路保护
• CP：Custom protections with comparator ，自定义保护比较器

拓展

1、NTC和PTC

• NTC：负温度系数，是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料

• PTC：意思是正的温度系数， 泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件,通常我们提到的PTC是指正温度系数热敏电阻，简称PTC热敏电阻

2、VDS

MOS管源极和漏极的电压（S极和D极）

问题记录

1、BC脚是怎么连接的？是否是芯片底面连接？

2、P31页，8.3，情况2:使用RC的I-t线保护。没看太懂

3、两个电流检测传感器是怎么工作的，为啥接法一样，P1页，ISN和ISP？

只选择其中一组检查电路中的电流大小和方向

4、P23页低旁路电流有什么作用，SA,SB脚有什么作用？