2ED2410学习笔记2

DAI 123

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分类专栏：驱动芯片文章标签：学习笔记

于 2023-05-27 19:49:26 首次发布

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2ED2410是一款用于12/24V汽车应用的单通道栅极驱动器，具备双高边输出、电流传感器、多种保护功能，包括短路保护、欠压保护等，适合大电流供电系统。该驱动器支持背靠背MOSFET拓扑，并能监测VDS、电流和温度，确保电源管理和配电的可靠性。

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2ED2410学习笔记2

1、2ED2410介绍

1.1、前言

重新看了一遍2ED2410芯片，重新整理了一份笔记

1.2、特征

单设备带有两个高边栅极驱动输出-----GA和GB
3Ω的下拉电阻，50Ω的上拉电阻，用于快速开关
支持背靠背MOSFET拓扑(共漏共源)
两个外部增益可调的双向高边模拟电流检测接口-------ISN,ISP
可调的过流/短路保护
多功能比较器实现：可调为I-t线保护，过压/欠压或过温保护 -----CPP和CPN

1.3、应用范围

针对大电流供电的故障诊断
电源之间的连接/隔离开关(例如用于混合动力和电动汽车)
开发支持可靠的电力供应和配电

1.4、描述

2ED2410-EM是一款单通道栅极驱动器，具有两个独立的栅极输出，适用于12 / 24 V汽车应用。它提供了多种保护功能，用于连接/断开负载或不同的电源

2、管脚配置

在这里插入图片描述

2.1、CSO1

作为输入脚：模拟电压强制进入安全模式
作为输出脚：电流检测输出1：模拟电压反馈，提供与ISP1/ISN1的分流电流或VDS 成比例的电压。
Current Sense Output1

2.2、CSO2

输出脚：电流检测输出2：模拟电压反馈，提供与ISP2/ISN2的分流电流或VDS 成比例的电压。
Current Sense Output2

2.3、CPP

比较器的正极：比较器的模拟正极输入
Comparator Positive

2.4、CPN

比较器的负极：比较器的模拟负极输入。
Comparator Negative

2.5、INT

中断：开漏中断输出

2.6、DG1

诊断1
DG1在sleep模式下是逻辑低电平
在idle模式下，通道B的VDS与VS的数字电压信息比较。
ON模式下，电流方向的数字电压信息

•如果电流从ISP1到ISN1连接，DG1为逻辑高

•如果电流从ISN1到ISP1连接，DG1为逻辑低
安全模式下，数字电压信息

•如果由于CP或SC或VS(UV)导致安全状态，DG1逻辑高

•如果由于UVLO导致SAFESTATE, DG1逻辑低

2.7、DG0

诊断0
DG0在sleep模式下是逻辑低电平
在idle模式下，通道A的VDS与VS的数字电压信息比较。
ON模式下，升压转换器频率的数字电压信息
安全模式下，数字电压信息

•如果由于CP或UVLO导致SAFESTATE，则DG0逻辑高

•如果SC或VS(UV)导致安全状态，则DG0逻辑低

2.8、INB

inputB
INB数字逻辑低，通道B关闭；INB逻辑高，通道B开启
只有当EN引脚高电平时，通道B开启时，栅极驱动器开启

2.9、INA

inputA
INA数字逻辑低，通道A关闭；INA逻辑高，通道A开启
只有当EN引脚高电平时，通道A开启时，栅极驱动器开启

2.10、EN

ENABLE
当EN低电平时；栅极驱动器处于sleep模式，通道A和B处于关闭，栅极驱动器复位
当EN高电平时，并且INA和INB都是逻辑低时，栅极驱动器处于idle模式

2.11、GND

2.12、RS

Resistor sense
升压转换器的电阻检测输出:可以测量升压变换器的电流。

2.13、SW

Switching
升压变换器的开关电源输入，电感连接。

2.14、SA

SourceA
源A：输出A，连接到外部MOSFET源极

2.15、GA

GateA
栅极驱动A：输出A，连接到外部MOSFET栅极

2.16、ISN1

I Sense Negative 1
电流传感器负极1：外部分流或VDS负连接。
可测电流方向

2.17、ISP1

I Sense Positive 1

电流传感器正极1；外部分流或VDS正连接。
可测电流方向

2.18、VS

基准电压：拓展3-58V

2.19、TMP

温度输入:模拟输入，连接外部NTC或PTC热敏电阻。

2.20、ISP2

I Sense Positive2

电流传感器正极2：外部分流或VDS负连接。
不可测电流方向

2.21、ISN2

I Sense Negative 2
电流传感器负极2：外部分流或VDS正连接。
不可测电流方向

2.22、GB

GateB
栅极驱动B：输出B，连接到外部MOSFET栅极。

2.23、SB

SourceB
源B：输出B，连接到外部MOSFET源极

2.24、TMPO

Temperature Output
温度输出:模拟电压反馈，提供与热敏电阻温度成比例的电压。

2.25、BC

Boost Converter output
升压转换器电容输出连接，

3、通用的产品特性

略

4、电气特性

略

5、通用操作

5.1、操作模式

在这里插入图片描述

2ED2410-EM具有4种工作模式：SLEEP, IDLE, ON和SAFESTATE
由输入INA, INB和ENABLE引脚组合选择，在SAFESTATE的情况下，由保护功能或力信号选择

在这里插入图片描述

5.2、电流消耗

驱动芯片电池供电的电流消耗，也称为2ED2410-EM的静态电流，取决于以下条件：

驱动芯片所处的工作模式
用于升压转换器的外部组件，既是驱动电源，也是外部MOSFET栅极电源。
对于SLEEP模式，它也取决于使用的MOSFET结构

5.3、时序图

在这里插入图片描述

5.4、逻辑管脚

在这里插入图片描述

逻辑引脚兼容5V和3.3V微控制器，它们可以直接连接到微控制输出，不需要额外组件，有一个内部串联和下拉电阻。可以使用ARC电路稳定EN引脚上的电压，因为EN的电压在逻辑中用作内部参考
输入控制电路驱动门驱动器的大小，它们通过Rin(gnd)接地，避免意外接通
使能脚EN控制升压转换器开/关，并且偏置所有模拟逻辑
INx引脚直接控制栅极输出，因此INA=1，设置GA = 1，INB= 1，设置GB = 1,输入输出A和B是独立
如果ENABLE和至少一个INx引脚一起设置高，保护和测量将开启，但直到当Vbc-Vs大于Vbc(TH)时，栅极才会开启
当驱动器通过INx = 1进入ON模式时，在t(poi)时间后保护功能才能准备就绪，放大器在一段时间tCSA(ACC)时间后到达最大精度
当Vinx<Vin(L)，or V(en) <Vin(l)时，INx和ENABLE引脚设置为逻辑低
数字输出返回一个低或高的逻辑电平信号。输出高压电平以Ven为基础，并在电气特性表中以Vdgx与Ven的比值给出
DG0和DG1的值低于V(dgL)时为逻辑低。诊断脚的状态取决于驱动器所处的工作模式。如5.1插入所示
在NO模式下，DG0反应升压转换器开关K1的激活状态，K1每次激活，DG0=1
在NO模式下，DG1反应CSA1的电流方向，
- 电流ISP1–>ISN1时，DG1 = 0
- 电流ISN1–>ISP1时，DG1 = 1
INT脚是开漏输出，目的是将中断信号传送给相关的周围设备，如微控制器或电源管理芯片
INT需要在芯片外部上拉，当SAFESTATE触发时，INT的电压值Rext和Rint两个电阻分压的结果，如上图

5.5、栅极输出

在这里插入图片描述

2ED2410有两个相同的栅极输出GA和GB，分别与源极引脚SA和SB一起工作
输出通道通过将相应的数字输入引脚INA和INB设置成高电平来激活
这些输出的结构是推挽输出，逻辑通过设计确保MOS管 K2x和 K3x不会同时开启
K2x为p通道增强MOS管, K3x为n通道增强MOS管。
打开连接栅极驱动器的外部MOS管的电流由升压转换器电容Cbc提供，通过K2x到门引脚Gx。
关闭外部MOSFET的电流从栅极引脚Gx通过K3x到源引脚Sx
当输入接通时，需要考虑延时Tpoi，以此以此来确保在发送栅极驱动信号激活之前，启动电流检测和温度放大检测功能—所以在没有电流检测和温度检测的情况下，不会打开外部MOS管
设置INx = 1时，如果Vbc-Vs<=Vbc(TH)时，驱动器处于ON模式，但是栅极输出仍保护OFF，直到升压转换器的Vbc-Vs>Vbc(TH)，栅极开启
如果Vbc-Vs<=Vbc(TH)发生在栅极驱动器启动时，升压转换的欠压保护将触发锁定，将进入SAFESTATE

5.6、接地损耗保护-模块级

只要Vs存在，MOS管K3默认保持打开（如上图所示），如果GND或者ECU丢失，满足以下条件，K3保持接通

VS脚连接电源线
GND板/ECU断开
睡眠，空闲，打开或者安全模式，

在ON模式下，如果GND板或者ECU接回，驱动器输出将再次被打开（K3关闭），因此无需ENABLE复位

6、低旁路电流特性

当处于IDLE模式时，2ED2410-EM可以从VS引脚吸收低电流到其源引脚SA和/或SB，从SA到SB或SB到SA。
在Vsx = Vs - Vds_DIAG(TH)之前，Isource以典型值交付，当对应源上的Vs - Vds_DIAG(TH)阈值达到时，Isource逐渐减小
当Vsa = Vsb = Vs时关闭。因此，2ED2410-EM能够提供电流Isource来提供ECU空闲模式电流，同时保持其自我消耗非常低。
2ED2410还可以对下游电网中的ECU输入电容进行预充电，并在停车模式下以最小电流消耗对其充电

7、测量功能

7.1、idle模式下的VDS监测

在这里插入图片描述

VDS漏源电压，MOS管漏极(D极)和源极(S极)电压
VDS监控功能可在IDLE模式下读取DGx引脚。
DG0和DG1分别监控VDSA (VS - VSA)和VDSB (VS - VSB)，前提是MOSFET漏极连接到VS
Vdsa(or Vdsb) > Vs - Vds_diag(th) =>DG0(or DG1) = high level
Vdsa(or Vdsb) < Vs - Vds_diag(th) =>DG0(or DG1) = low level
将外部MOSFET源极与内部参考电压Vs- VDS_DIAG(TH)进行比较，并将结果在DG0口输出

7.2、电流传感器在 ON模式和SAFESTATE模式

2ED2410-EM具有两个集成电流检测放大器(激活在ON和SAFESTATE模式)。
这些电流检测放大器CSA1和CSA2由两个相同的差动放大器实现，具有一个大范围的可调增益(G)
输入为ISP1/2和ISN1/2引脚，输出为CSO1/2引脚。
电流传感器必须具有高侧位置，或者位于背靠背公共漏极配置中的MOSFET漏极之间
电流传感放大器允许在两个方向上监测流入分流器(或MOSFET)的电流，这被称为双向电流传感
增益通过外部电阻RISP1/2 = RISN1/2在输入端(在传感器端)和RCSO1/2在输出端(在微控制器/连接器端)设置。
电流方向信息仅CSA1可用，可由单片机直接在DG1引脚上以ON模式读取(电流方向从ISN1到ISP1为0，否则为1)。
CSA1具有集成比较器，用于快速短路保护。
如果不使用CSA1或CSA2，可以通过将连个引脚的一个ISP或者ISN连接到GND
注意：如果CSA1被禁用，CSA1上自带的内部比较器也会被禁用，则短路保护功能被禁用

7.3、温度测量放大器在 ON模式和SAFESTATE模式

2ED2410-EM具有集成温度监控放大器TMPA(活跃的在ON和SAFESTATE模式下)。
该温度监测功能是由差动放大器实现的。
输入引脚是TMP，输出引脚是TMPO。
温度放大器允许通过监测Vtmpo来监测流入Rntc的热量。
增益不是直接可调的，比例kTMP是由驱动器自动调整增益保持不变的。
输入Rntc和输出Rtmpo保持比值。
输出是一个模拟电压信号:VTMPO表示RNTC中的温度。它可以通过微控制器直接读取引脚TMPO(温度输出)。
RTMP不是强制性的，但输出信号VTMPO的线性化可能需要RTMP，这取决于热敏电阻解决方案的选择。
如果不使用温度检测功能，TMPA功能可以被禁用，TMP和TMPO引脚悬空即可

8、ON模式下的保护功能

2ED2410有四种保护机制，只有在ON模式下才起作用，具有四种保护：

短路保护–SC
VS欠压保护–VS
自定义比较器保护–CP
栅极欠压锁定保护

8.1、短路保护–SC

CSA1在其输出CSO1上有一个快速比较器，当Vcso1达到Vcso(TH) =Kcso x Ven时，允许2ED2410-EM进入SAFESTATE模式。
这允许在使用CSA1时过流/短路的情况下快速关闭延迟时间。
2ED2410-EM能够在没有微控制器的情况下关闭MOSFET。
关断延时时间为tDSCG(L)，可以用tDSCCSO1(H) + tDCSO1(H)INT(L) + tDINT(L)G(L)的和来计算。
然而，tDSCG(L)的最大值并不是其他延迟最大值的总和，因为通过构造、硅工艺和变化使这种情况不可能发生。这就是为什么在CSA1比较器检测短路时，在考虑最坏情况下的关断延迟时，只考虑tDSCG(L) (PRQ-330)的最大值。
短路保护标称电压范围为VS(NOR)。如果已经处于ON或IDLE模式，2ED2410-EM将继续工作。
在VS(SC)LOW范围内，短路检测和关闭是可操作的，2ED2410-EM是受保护的，但VCSO(TH)参数，因此短路检测取决于VS和VEN
一旦进入安全状态，驱动芯片需要被重置

8.2、Vs欠压保护–VS

VS引脚有一个集成比较器，永久比较VS电压与VS(UV)，允许2ED2410-EM在VS降至VS(UV)电平时进入SAFESTATE模式。
关闭延时时间由tDUV(H)INT(L) + tDINT(L)G(L) 的和计算。

有以下两个后果：

驱动器被保护到电池上的0v，这意味着一个非常强烈的短路，实际上会使VS节点上的电压降至0v，并且开关被保护。
如果微中断时间超过tDUV(H)INT(L)，驱动器可能对电源上的微切断敏感。为了克服这种影响，可以在Vs引脚旁边使用电容(例如几个微法拉)。
此外，如果在应用程序中需要大的微切，ENABLE引脚可以直接通过100kΩ(或更多)电阻连接到VS引脚
在ENABLE引脚上需要一个额外的稳压二极管，以将电压限制在所需的值，例如3.3 V或5 V。当微中断结束时，一旦在ENABLE引脚上再次达到VEN(H) (PRQ-74)阈值，驱动器将自动再次打开
一旦进入安全状态，驱动芯片需要被重置

8.3、自定义比较器保护–CP

2ED2410-EM具有输入CPP和CPN的电压比较器。该比较器可用于触发基于任何模拟电压的SAFESTATE模式，甚至是外部电压2ED2410-EM。
CPP是比较器的正输入，CPN是负输入。
Vcpref可以由微控制器调节，也可以由板载电源芯片(如英飞凌SBC)或简单的分压器固定，在Vcp(REF)的限制内保持稳定。
使用该比较器允许2ED2410-EM进入SAFESTATE并独立于微控制器关闭MOSFET。比较器的反应延时为tDCP(H)INT(L)。因此，比较器CP停机时的关断延时时间可以用tDCP(H)INT(L) + tDINT(L)G(L)的和来计算。
触发SAFESTATE模式时，数字输出{DG0;DG1}反馈{1;1}。参见第5.1章。
一旦进入安全状态，驱动芯片需要被重置

以下是四种常见的用例

情况1:使用TMPO输出的过温保护。
情况2:使用RC的I-t线保护。这两个限制，短反应时间和长直流电是动态可调的(例如微控制器PWM输出)与Ven和Vcpref分别。
情况3:使用任何外部信号进行保护。Vcp(REF)可由单片机动态调节。

例如，对于电池开关应用，BMS的电流反馈可用于触发SAFESTATE模式。

案例4:通过简单分压器监测VS进行欠压保护。

8.4、栅极欠压锁定保护–UVLO

栅极欠压锁定保护UVLO的目的是避免由于升压变换器输出或MOSFET栅极上的泄漏而导致MOSFET在线性模式下驱动。
如果在ON模式中，Vbc - Vs<UVLO，则驱动进入SAFESTATE模式。
如果在ON模式下至少满足一次Vbc - Vs > Vbc(TH) ，则在ON模式下激活UVLO保护功能，
如果ON模式下 VBC - VS < UVLO时、并且VBC(TH)一次都没有满足，则UVLO没有激活，设备不会进入SAFESTATE模式，所以栅极不会打开
- 因此，给定所实现的升压变换器外部组件**，可以通过INT = 1和DG0来检测UVLO，DG0显示升压变换器的最大频率**
一旦进入安全状态，驱动芯片需要被重置

8.5、重置SAFESTATE

2ED2410-EM有一种方法可以主动重置SAFESTATE: EN引脚上的电压需要拉低tRESET时间。
一旦EN引脚被拉下，INT信号将上升，直到驱动器再次达到睡眠状态。通过DG0 = DG1 = low可以验证SLEEP状态
2ED2410-EM可以通过EN=high，并且INA=INB=low驱动芯片进入IDLE模式。
当EN设置为“高”时，如果INA或INB仍为“高”，待满足VBC- VS≥VBC(TH)条件时，驱动芯片将立即进入ON模式。

9.0、驱动电源:升压转换器

一个升压“直流-直流转换器”结构是2ED2410-EM的供电电源。
二极管和激活开关K1在驱动器内部实现，但电容器Cbc，电阻Rrs和电感L1必须作为外部组件添加。
升压转换器在IDLE模式、ON模式、SAFESTATE模式下处于工作状态，在SLEEP模式下关闭。
当VS≥VS(NOR)和VEN≥VEN(H) (PRQ-74)时，升压变换器启动。然后，一旦VBC - VS≥VBC(TH) (PRQ-139)，升压变换器在VS(EXT)范围内正常工作。如果VEN≤VEN(L)，则驱动器从其他三种工作模式中的任何一种返回SLEEP模式，升压转换器停止。
开关K1激活时间在ON模式下可以在引脚DG0上显示，即是升压转换器转换频率。

激活

K1是一个集成MOS管，当Vbc-Vs < Vbc(th) and Vrs < Vrs(th)，当Vbc-Vs > Vbc(th) and Vrs >Vrs(th)
电感器通过二极管D给CBC电容器充电,D有VFBC (PRQ-148)正向压降。
到达VRS(TH)后，K1 MOSFET不能在tBC(OFF)时间内重新启动。这限制了升压转换器的最大频率。