四种类型LDO特性对比

类型	NPN	PNP	N_MOS	P_MOS
拓扑
特性
	 要求输入电压至少比输出电压高 0.9V 至 1.5V；  接地引脚电流大于 NPN-达林顿管，但小于 PNP-LDO 稳压器；  需要一个输出电容器，但一般不像 PNP-LDO 那样具有特殊的 ESR 要求	要求输入电压至少比输出电压高 100mV至 700mV；  具有高于 NPN 型 LDO 的接地引脚电流；  需要谨慎地选择输出电容器数值和 ESR 额定值	 要求输入电压高于输出电压（ 高出的幅度依据传输晶体管的 VGS要求）；  接地引脚电流不随输出负载电流而变化；  不需要任何的输出电容器（ 但为了动态响应更好还是使用一个）。	 要求输入高于输出电压（ 基于负载电流和传输元件的导通电阻）： VIN>RDS(ON)×IOUT  要求输出电压高于传输元件的 VGS 需求；  要求谨慎地选择输出电容数值和 ESR 额定值；  为了实现相似的 RDS（ on） 性能， PMOS 晶体管所需的晶片面积将大于 NMOS 晶体管；  较大的晶片面积将影响定价，并有可能对性能产生影响。
			缺点  需偏置电压以上拉 N-FET； 优点  N-FET 的导通电阻低于 P-FET；  允许非常低的 Vin 和 Vout 数值；  较低的输出阻抗可减轻负载极点的影响；  可在采用小的外部电容器时保持稳定；  低接地引脚电流（ 与负载无关）；  高 DC 增益与令人满意的带宽。