Dennard Scaling

Dennard Scaling

Dennard Scaling，也被称为 MOSFET Scaling，其大致意思是，虽然晶体管尺寸在每一代产品中会变小，但它们的功率密度保持不变。因此功耗与电路面积成正比关系；电压和电流则均按晶体管尺寸长度降低。这一定律最初是为 MOSFET 制定的，最早出现于 1974年 Robert H. Dennard 合著的一篇论文。

推导

具体来说，Dennard 注意到每一代芯片上：

1. 晶体管的维度会比上一代缩小约 30%(0.7x)，于是：
   • 晶体管的占用面积会减少 50%,因为面积等于长度的平方 $$S=L^2$$
   • 为了保持电场稳定,需要降低电压,这是因为电压等于电场与长度的积 $$U=Ed$$
   • 电路延迟会降低 30%,这是因为时间等于长度/电压
2. 上述原因可以得出以下变化:
   • 延迟减少 30% 可以提高晶体管频率约 40%(1.4x),因为频率是延迟的倒数
   • 30% 的延迟减少以及 50% 的面积减小,可以让电容降低 30%,因为电容正比于面积除以距离
3. 那么功率消耗可以减少 50%,因为功率正比于电压的平方乘频率
   因此，在每一项技术的产生中，面积减半，功耗减半。换句话说，如果晶体管密度翻倍，功耗(晶体管数量翻倍)保持不变。

然而

但电压和电路在晶体管中不能无限降低,否则整个集成电路就不再稳定,因此在2004年左右,根据量化分析方法书中,该经验定律便不再有效.