03-emmc的基础描述-速率_带宽_引脚_上电_时序

1、引脚定义

上面的方向是对emmc颗粒而言的

DS在hs400和hs400es模式下使用。其中emmc5.1才支持hs400es，对主机的数据读来说，采用的是DS的双沿，主机crc读和cmd读（只有hs400es支持）只是上升沿采样

常规的VCC是3.3V电压，VCCQ是1.8V电压

在上电或者复位后，只有DATA0用于数据传送，其他数据需要配置能用

2、速率及带宽及电压描述

每种模式的linux配置详见《linux如何配置emmc和sd卡的各种速率》

3、emmc卡的读写速率

Brand Name	Model Name	eMMC Level	Capacity	Work Mode	Card Work Clock	Write Speed (MB/s)	Read Speed (MB/s)
Samsung	KLM4G1FETE-B041	MMC v5.1	4GB	HS400	198MHZ	23.3	258
Samsung	KLM8G1GETF-B041	MMC v5.1	8GB	HS400	198MHZ	55.3	249.9
Samsung	KLM8G1GEME-B041	MMC v5.1	8GB	HS400	198MHZ	41.3	125.1
Samsung	KLMAG1JETD-B041	MMC v5.1	16GB	HS400	198MHZ	53.4	258.1
Samsung	KLMAG1JENB-B041	MMC v5.1	16GB	HS400	198MHZ	48.2	207.6
Samsung	KLMBG2JETD-B041	MMC v5.1	32GB	HS400	198MHZ	111.4	279.7
Samsung	KLMBG2JENB-B041	MMC v5.1	32GB	HS400	198MHZ	76.8	243.5
Samsung	KLMCG2KETM-B041	MMC v5.1	64GB	HS400	198MHZ	259.1	269.4
Samsung	KLMCG4JENB-B041	MMC v5.1	64GB	HS400	198MHZ	143	251.9
Samsung	KLMCG2KCTA-B041	MMC v5.1	64GB	HS400	198MHZ	239.5	268.6
Samsung	KLMDG4UCTA-B041	MMC v5.1	128GB	HS400	198MHZ	251.1	296.2
Toshiba	THGBMDG5D1LBAIL	MMC v5.1	4GB	HS400	198MHZ	15.3	134.4
Toshiba	THGBMHG6C1LBAIL	MMC v5.1	8GB	HS400	198MHZ	32.7	167.9
Toshiba	THGBMHG7C1LBAIL	MMC v5.1	16GB	HS400	198MHZ	118.7	184.6
Toshiba	THGBMHG8C2LBAIL	MMC v5.1	32GB	HS400	198MHZ	170.7	230.1
Toshiba	THGBMHG9C4LBAIR	MMC v5.1	64GB	HS400	198MHZ	177.6	226.6
Kingston	EMMC04G-M627 A01	MMC v5.1	4GB	HS400	198MHZ	25.1	219.1
Kingston	EMMC08G-M325 X51	MMC v5.1	8GB	HS400	198MHZ	78.7	207.5
Kingston	EMMC08G-T227 A01	MMC v5.01	8GB	HS400	198MHZ	18.4	79.6
Micron	MTFC4GACAJCN-1M WT(JY976)	MMC v5.1	4GB	HS400	198MHZ	13	146.5
Micron	MTFC8GAKAJCN-1M WT(JY995)	MMC v5.1	8GB	HS400	198MHZ	18.8	153.3
Sandisk	SDINADF4-16G-1209	MMC v5.1	16GB	HS400	198MHZ	49.7	220.5
Sandisk	SDINADF4-32G-1209	MMC v5.1	32GB	HS400	198MHZ	144.6	222.7
Sandisk	SDINADF4-64G-1209	MMC v5.1	64GB	HS400	198MHZ	94.6	239.9
Sandisk	SDINADF4-128G-1209	MMC v5.1	128GB	HS400	198MHZ	124.3	247.4
hynix	H26M78208CMR	MMC v5.1	64GB	HS400	198MHZ	143.1	254.5
hynix	H26M41208HPRN	MMC v5.1	64GB
hynix	H26M41208HPR	MMC v5.1	64GB	HS400	198MHZ	37.3	192.9
Toshiba	THGBMNG5D1LBAIL	MMC v5.0	4GB	HS400	198MHZ	14.1	139.7

4、上电时序

（1）如果设备不支持引导模式，或 BOOT_PARTITION_ENABLE 位被清除，设备立即进入

idle 状态。在 idle 状态下，设备忽略所有总线传输，直至接收到 CMD1

（2）CMD1 是用来协商工作电压范围，并轮询设备直至其结束上电过程的专用同步命令。

（3）在上电后，主机启动时钟并在 CMD 线上发送初始化序列。序列长度是以下最长者：

1 ms、 74 个时钟、电源爬升时间或引导操作时间。要额外提供 10 个时钟（除设

备准备好通讯后的 64 个时钟）以消除上电同步问题

（4）上电后， e•MMC进入pre-idle状态。各个电源的上电时间应小于为相应电压范围规定的

tPRU（tPRUH, tPRUL or tPRUV）

5、下电时序

（1）在从机进入休眠模式后，主机可以下电 VCC 以降低功耗。对于从机来说，在爬升到 VCC 之后再发送唤醒从单元的 CMD5（SLEEP_AWAKE）是必须的。

（2）如果 VCC 或 VCCQ 低于 0.5 V 超过 1 ms，从机都要返回 pre-idle 状态，并执行相应

的引导行为

6、电气特性

（1）有效电压组合

（2）上拉电阻要求

（3）电压峰值要求

IO电压，最大不能超过正常的0.9V，即1.8V+0.9V=2.7V

（4）漏极开路模式的电压判断

漏极开路模式下，高电平最小只能小0.2V，最大不能大于0.3V

（5）推拉模式的电压判断

注意：输出和输入不一样，输出条件最小1.8V-0.45V=1.35V为高电平，最大0.45V为低电平

对应输入条件： 0.65*1.8~1.8+0.3（1.17V~2.1V）为高电平，0-0.3 ~0.35*1.8（-0.3~0.63V）为低电平

7、单沿总线时序

注意：上升沿采样

（1）高速模式

最大频率52MHz

识别模式最大400Hz

clk的上升沿最大3ns，下降沿最大3ns

输入的cmd和data的建立时间最小3ns，保持时间最小3ns

（1）legacy模式

8、双沿总线时序

（1）高速ddr模式

9、HS200实现要求

（1）时钟要求

最大的低电平电压到最小的高电平电压的时间 需要小于1ns

占空比在30%~70%之间

（2）输入的时序要求

输入数据的建立时间最小1.4ns

输入数据的保持时间最小0.8ns

（3）输出的时序要求

10、hs400实现要求