关于MOS管电流反向流动的学习记录 BUCK中的下管

在 研究 DC-DC开关电源对的开关管的时候涉及到了关于MOS管电流方向能否反向流动的讨论，拉扎维书（第二版）开关电容电路导论一章的13.2.1的MOSFET开关提到：
“MOS开关在传输电流的时候可以双向传输，需要对其源漏极互换角色。”
但并没有进一步的详细讲解。
在知乎文章的评论区看到了大佬的讲解，比较详细的。
下面是文章的链接，评论里有大佬讲解
MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？ - 硬件工程师炼成之路的文章 - 知乎 https://zhuanlan.zhihu.com/p/400807099
下面是大佬知乎主页的链接：
https://www.zhihu.com/people/GraveDiggaz

以下大佬评论原文及附图：

电流方向未必是固定的。MOS有一种操作叫第三象限模式（the third quadrant operation），电流方向会反转，比如buck converter的sync FET。

LS FET导通时S/D反转，名义Ids为负，这个叫做MOSFET的第三象限模式（3rd quadrant），即Ids＜0，Vds＜0。
在死区时间，说是body diode导通续流，实际上是寄生BJT导通，body diode是BJT的EB结，S是collector，这是MOS模型里的常见做法。
需要注意的是，死区时间时MOS channel并非完全关断的，虽然名义Vgs=0，但实际S/D反转，D电压即实际S’电压＜0，即Vgs’＞0，虽然这个Vgs’不是很大（一般小于1V）而且小于MOS的标准Vth，但要注意，MOS的名义S,B电压为0则意味着实际的Vbs’＞0，考虑到body effect，此时MOS Vth’要小于标准Vth，channel轻微开启即处于第三象限的亚阈值区。巧妙利用这个特性可以改善MOS的DRR特性。这也是GaN HEMT这种没有body diode的器件在死区时间的导通模式。