关于mos管增强型、耗尽型的思考

最新推荐文章于 2025-03-06 15:29:42 发布

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分类专栏：微电子电路

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本文探讨了MOS管的工作原理，重点比较了增强型和耗尽型MOS管的区别。增强型MOS管在VGS>>0时形成导电沟道，而耗尽型MOS管在VGS=0时即可形成沟道，这源于制造过程中氧化层的掺杂。此外，两种类型MOS管的阈值电压VT特性也有所不同，增强型的VT大于0，耗尽型的VT小于0。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

MOS管要工作，即是要在衬底中形成导电沟道，让mos结构可以导电。
对增强型MOS管，以n沟道增强型为例，当 $V_{GS}>>0$ 时，氧化物层（栅极）积累正电荷，吸引P衬底表面聚集电子，形成所谓强反型层，也就是n沟道，可以导电，载流子为自由电子。此时如果 $V_{DS}>0$

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