关于mos管增强型、耗尽型的思考

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分类专栏：微电子电路

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MOS管要工作，即是要在衬底中形成导电沟道，让mos结构可以导电。
对增强型MOS管，以n沟道增强型为例，当 $V_{GS}>>0$ 时，氧化物层（栅极）积累正电荷，吸引P衬底表面聚集电子，形成所谓强反型层，也就是n沟道，可以导电，载流子为自由电子。此时如果 $V_{DS}>0$

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关于mos管增强型、耗尽型的思考

MOS管要工作，即是要在衬底中形成导电沟道，让mos结构可以导电。对增强型MOS管，以n沟道增强型为例，当 VGS>>0V_{GS}>>0VGS>>0时，氧化物层（栅极）积累正电荷，吸引P衬底表面聚集电子，形成所谓强反型层，也就是n沟道，可以导电，载流子为自由电子。此时如果VDS>0V_{DS}>0VDS>0，就可以驱动沟道载流子（电子）从S→DS\to{D}S→D。对于耗尽型mos管，以n沟道耗尽型为例，认为当VGS=0V_{GS}=0VGS
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